Плазмохимическое и реактивно-ионное травление арсенида галлия в среде дифтордихлорметана с гелием

Мурин Д. Б.

doi:10.31857/S0544126924040078

Главная>Номер выпуска 4>Плазмохимическое и реактивно-ионное травление арсенида галлия в среде дифтордихлорметана с гелием

Плазмохимическое и реактивно-ионное травление арсенида галлия в среде дифтордихлорметана с гелием

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Плазмохимическое и реактивно-ионное травление арсенида галлия в среде дифтордихлорметана с гелием

Аннотация

Код статьи

S0544126924040078-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Мурин Д. Б. Связаться с автором

Аффилиация: Ивановский государственный химико-технологический университет

Выпуск

Том 53 Номер выпуска 4

Страницы

346-352

Аннотация

Экспериментально исследована кинетика взаимодействия высокочастотной плазмы дифтордихлорметана и его смеси с гелием, поверхностью арсенида галлия. Установлено, что в исследованном диапазоне условий происходит полное разложение исходной молекулы дифтордихлорметана до атомарного углерода. Подтверждено, что основными химически активными частицами, обеспечивающими травление, являются химически активные атомы хлора. Показано, что процесс травления протекает в режиме ионно-стимулированной химической реакции, где существенную роль в очистке поверхности играет десорбция продуктов под действием ионной бомбардировки. Проанализированы эмиссионные спектры излучения плазмы в присутствии полупроводниковой пластины арсенида галлия. Выбраны контрольные линии и полосы для контроля скорости процесса травления по интенсивности излучения линий и полос продуктов травления.

Ключевые слова

травление плазма кинетика интенсивности излучения арсенид галлия дифтордихлорметан гелий

Источник финансирования

Исследование проведено с использованием ресурсов Центра коллективного пользования научным оборудованием ИГХТУ (при поддержке Минобрнауки России, соглашение № 075-15-2021-671)

Классификатор

Получено

12.11.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Мурин Д. Плазмохимическое и реактивно-ионное травление арсенида галлия в среде дифтордихлорметана с гелием // Микроэлектроника. – 2024. – T. 53. – Номер выпуска 4 C. 346-352 . URL: https://microelectronicsras.ru/s0544126924040078-1/?version_id=105593. DOI: 10.31857/S0544126924040078
MLA	Murin, D. B "Plasmochemical and Reactive Ion Etching of Gallium Arsenide in Difluorodichloromethane with Helium." Russian Microelectronics. 53.4 (2024).:346-352. DOI: 10.31857/S0544126924040078
APA	Murin D. (2024). Plasmochemical and Reactive Ion Etching of Gallium Arsenide in Difluorodichloromethane with Helium. Russian Microelectronics. vol. 53, no. 4, pp.346-352 DOI: 10.31857/S0544126924040078

Библиография

1. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. Москва: Энергоатомиздат, 1987. C. 264.

2. Дунаев А.В., Ситанов Д.В., Мурин Д.Б. Закономерности взаимодействия меди с хлорсодержащими газами // Химия высоких энергий. 2017. Т. 51. № 3. С. 239–243.

3. Franz G., Kelp A., Messerer P. Analysis of chlorine-containing plasmas applied in III/V semiconductor processing // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. 18. № 5. P. 2053–2061.

4. Ibbotson D.E. Plasma and gaseous etching of compounds of Groups III–V // Pure and Appl. Chem. 1988. V. 60. № 5. P. 703–708.

5. Ефремов А.М., Светцов В.И., Пивоваренок С.А., Дунаев А.В. Кинетика травления GaAs в хлорной плазме // Изв ВУЗов. Химия и хим. технология. 2010. Т. 53. Вып. 5. С. 53–56.

6. Grigonis A. The surface composition of GaAs affected by reactive plasma // Surf. Coat. Technol. 1998, V. 110. № 1–2. P. 31–34.

7. Ефремов А.М., Мурин Д.Б., Левенцов А.Е. Кинетика и режимы плазмохимического травления GaAs в условиях индукционного ВЧ разряда в CF2Cl2 // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 6. С. 429–434.

8. Pearse R.W.B., Gaydon A.G. The identification of molecular spectra. Fourth edition. New York: John Wiley & Sons, inc. 1976. P. 407.

9. Стриганов А.Р., Свентицкий Н.С. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизированных атомов. Москва: Атомиздат., 1966. C. 899.

10. Wang Y. F., Lee W.J., Chen C.Y. Reaction Mechanisms in Both a CCl2F2/O2/Ar and a CCl2F2/H2/Ar RF Plasma Environment // Plasma Chem. and Plasma Proces. V. 20. No 4. 2000. P. 469–494.

11. Stoffels W. W., Stoffels E., Haverlag M. The chemistry of a CCl2F2 radio frequency discharge // J. Vac. Sci. Technol. A. V. 13. No 4. 1995. P. 2058–2066.

12. Glauco F. Bauerfeldt and Graciela Arbilla. Kinetic analysis of the chemical processes in the decomposition of gaseous dielectrics by a non-equilibrium plasma — Part 1: CF4 and CF4/O2// J. Braz. Chem. Soc. 2000. V. 11. No. 2. P. 121.

13. Efremov A. M., Kim D.P., Kim C.I. Effect of gas mixing ratio on gas-phase composition and etch rate in an inductively coupled CF4/Ar plasma // Vacuum. 2004. V. 75. № 2. P. 133–142.

14. Zhang D., Kushner M.J. Mechanisms for CF2 radical generation and loss on surfaces in fluorocarbon plasmas // Journal of Vacuum Science & Technology A.: Vacuum, Surfaces, and Films. 2000. V. 18. № 6. P. 2661–2668.

15. Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Мурин Д.Б. Кинетика взаимодействия высокочастотного разряда CCl2F2 с арсенидом галлия // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 5. С. 374–378.

Библиография

Комментарии

Войти через