- PII
- S30345480S0544126925040088-1
- DOI
- 10.7868/S3034548025040088
- Publication type
- Article
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 54 / Issue number 4
- Pages
- 339-344
- Abstract
- The multilayer silicon diode structures with basic submicron layers of n- and p-type conductivities grown by sublimation molecular beam epitaxy are studied. The profiles of the charge carriers concentration distribution in the active regions of these structures have been determined. It is established that the proposed method provides uniform distribution of the charge carriers concentration across the thickness of the layers and abrupt change at the boundary with the substrate or another layer. These structures are promising for the fabrication of diodes.
- Keywords
- кремний субмикронный слой легирование молекулярно-пучковая эпитаксия
- Date of publication
- 15.05.2025
- Year of publication
- 2025
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 46
References
- 1. Гусятинер М.С., Горбачев А.И. Полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды. – М.: Радио и связь. – 1983. – 224 с.
- 2. Вишнякова З.П. Молекулярно-лучевая эпитаксия в полупроводниковом производстве. Обзоры по электронной технике сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 7. – 1985. – С. 128.
- 3. Heitzman M., Boudot M. New progress in the development of a 94–6 Hz pretuned module silicon impatt diode // IEEE Trans.Electron Devices. – 1983. – V. 30. – P. 759–763.
- 4. Bean J.C. Grow of doped silicon layer by molecular beam epitaxy // Impurity doping / Ed. by FFY Wang- N.Y.: North-Holland. – 1981. – P. 177–215.
- 5. Shiraki Y. Silicon molecular beam epitaxy // Ext. Abstr. 15th conf. “Solid-State Devices and Mater” Tokyo. – 1983. – P. 7–10.
- 6. Методы легирования слоев кремния в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков и др. // Физика и техника полупроводников. – Т. 2. – 2006. – С. 188–194.
- 7. Nutzer J.F., Abstreiter F. Comparison of P and Sb as n-dopants for Si molecular beam epitaxy // J. Appl. Phys. – 1995. – V. 78. – P. 937–940.
- 8. Установка для сублимирующей молекулярно-лучевой эпитаксии кремния / С. П. Светлов, В. Г. Шенгуров, В. А. Толома- сов и др. // Приборы и техника эксперимента. – 2001. – № 5. – С. 137–140.
- 9. Кузнецов В.П. О переносе примесей P, As, Al из источника кремния в слои, полученные сублимацией в вакууме / В. П. Кузнецов, В. В. Постников // Кристаллография. – 1974. – Т. 2. – С. 346.
- 10. Submicron epitaxial silicon layers doped with donor impurities during their evaporation from a silicon melt in vacuum / V.G. Shengurov, V.N. Shabanov, V.A. Rubtsova // Proceedings of the VII Conference on the Processes of Growth and Synthesis of Semiconductor crystals and Films on June 9–13, 1986, Novosibirsk, Vol. 1, pp. 273–274.
- 11. Шенгуров В.Г. Многослойные кремниевые структуры, полученные совместным испарением из твердой фазы и из расплава // Неорганические материалы. – Т. 37. – 2001. – С. 783–787.
- 12. Обогащение бором приповерхностной области кремния в процессе сублимации / В. А. Толома- сов, В. В. Васькин, М. И. Овсянников и др. // Физика и техника полупроводников. – 1981. – Т. 15. – С. 104.
- 13. Автоэпитаксиальные слои кремния, полученные сублимацией в вакууме из высоколегированных бором источников / М. И. Овсянников, Р. Г. Логинова, Р. А. Рубцова и др. // Кристаллография. – 1970. – Т. 6. – С. 1261.
