- Код статьи
- S30345480S0544126925040088-1
- DOI
- 10.7868/S3034548025040088
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 54 / Номер выпуска 4
- Страницы
- 339-344
- Аннотация
- Исследованы многослойные кремниевые диодные структуры с базовыми субмикронными слоями n- и p-типов проводимости, выращенные методом сублимационной молекулярно-пучковой эпитаксии. Определены профили распределения концентрации носителей заряда в активной области указанных структур. Установлено, что предложенный метод обеспечивает равномерное распределение концентрации носителей заряда по толщине слоев и резкое изменение на границе с подложкой или другим слоем. Такие структуры перспективны для изготовления диодов.
- Ключевые слова
- кремний субмикронный слой легирование молекулярно-пучковая эпитаксия
- Дата публикации
- 15.05.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 44
Библиография
- 1. Гусятинер М.С., Горбачев А.И. Полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды. – М.: Радио и связь. – 1983. – 224 с.
- 2. Вишнякова З.П. Молекулярно-лучевая эпитаксия в полупроводниковом производстве. Обзоры по электронной технике сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 7. – 1985. – С. 128.
- 3. Heitzman M., Boudot M. New progress in the development of a 94–6 Hz pretuned module silicon impatt diode // IEEE Trans.Electron Devices. – 1983. – V. 30. – P. 759–763.
- 4. Bean J.C. Grow of doped silicon layer by molecular beam epitaxy // Impurity doping / Ed. by FFY Wang- N.Y.: North-Holland. – 1981. – P. 177–215.
- 5. Shiraki Y. Silicon molecular beam epitaxy // Ext. Abstr. 15th conf. “Solid-State Devices and Mater” Tokyo. – 1983. – P. 7–10.
- 6. Методы легирования слоев кремния в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков и др. // Физика и техника полупроводников. – Т. 2. – 2006. – С. 188–194.
- 7. Nutzer J.F., Abstreiter F. Comparison of P and Sb as n-dopants for Si molecular beam epitaxy // J. Appl. Phys. – 1995. – V. 78. – P. 937–940.
- 8. Установка для сублимирующей молекулярно-лучевой эпитаксии кремния / С. П. Светлов, В. Г. Шенгуров, В. А. Толома- сов и др. // Приборы и техника эксперимента. – 2001. – № 5. – С. 137–140.
- 9. Кузнецов В.П. О переносе примесей P, As, Al из источника кремния в слои, полученные сублимацией в вакууме / В. П. Кузнецов, В. В. Постников // Кристаллография. – 1974. – Т. 2. – С. 346.
- 10. Submicron epitaxial silicon layers doped with donor impurities during their evaporation from a silicon melt in vacuum / V.G. Shengurov, V.N. Shabanov, V.A. Rubtsova // Proceedings of the VII Conference on the Processes of Growth and Synthesis of Semiconductor crystals and Films on June 9–13, 1986, Novosibirsk, Vol. 1, pp. 273–274.
- 11. Шенгуров В.Г. Многослойные кремниевые структуры, полученные совместным испарением из твердой фазы и из расплава // Неорганические материалы. – Т. 37. – 2001. – С. 783–787.
- 12. Обогащение бором приповерхностной области кремния в процессе сублимации / В. А. Толома- сов, В. В. Васькин, М. И. Овсянников и др. // Физика и техника полупроводников. – 1981. – Т. 15. – С. 104.
- 13. Автоэпитаксиальные слои кремния, полученные сублимацией в вакууме из высоколегированных бором источников / М. И. Овсянников, Р. Г. Логинова, Р. А. Рубцова и др. // Кристаллография. – 1970. – Т. 6. – С. 1261.
