RAS Nano & ITМикроэлектроника Russian Microelectronics

  • ISSN (Print) 0544-1269
  • ISSN (Online) 3034-5480

Effect of Rapid Thermal Annealing on the Formation of Aluminum-Silicon and Aluminum-Polysilicon Ohmic Contacts in Integrated Microcircuits

PII
S30345480S0544126925040076-1
DOI
10.7868/S3034548025040076
Publication type
Article
Status
Published
Authors
Volume/ Edition
Volume 54 / Issue number 4
Pages
333-338
Abstract
The results of the study of the influence of thermal annealing on the formation of ohmic contacts of aluminum-silicon and aluminum-polysilicon at the stage of manufacturing modern integrated circuits are presented. It has been established that standard thermal annealing at a temperature of 450 oC for 20 min in nitrogen leads both to the dissolution of silicon in aluminum contacts with the subsequent formation of recrystallized islands of p-type silicon at the aluminum-silicon interface, and to the dissolution of polysilicon, with its subsequent release in the form of acute-angled clumping. When using rapid thermal annealing (Tmax = 450 oC, 7 s, N2), the formation of such conglomerates was not detected. The dissolution of polysilicon (silicon) in aluminum during the formation of aluminum-polysilicon (aluminum-silicon) ohmic contacts leads to a change in the value of the contact resistance of polysilicon resistors and the volt-ampere characteristics of bipolar transistors.
Keywords
быстрый термический отжиг интегральная микросхема омический контакт алюминий-поликремний омический контакт алюминий-кремний биполярный транзистор вольт-амперная характеристика
Date of publication
15.05.2025
Year of publication
2025
Number of purchasers
0
Views
56

References

  1. 1. Semiconductor Devices: Physics and Technology / ed.: S.M. Sze, M.-K. Lee. – 3rd ed. – Hoboken, N.J: Wiley, 2012. – 592 p.
  2. 2. Базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на кремнии. Т. 3 / Под ред. Турцевича А.С. Минск: Изд-во “Интегралполиграф”, 785 с.
  3. 3. Franssila S. Introduction to microfabrication. – John Wiley and Sons, 2010. – 518 p.
  4. 4. Пилипенко В.А. Быстрые термообработки в технологии СБИС. Минск: Издательский центр БГУ, 2004. 531 с.
  5. 5. Пилипенко В.А., Ковальчук Н.С., Жигулин Д.В. Влияние длительной и быстрой термообработок на формирование границы раздела алюминий – поликремний // Журнал Белорусского государственного университета. Физика. 2023. № 2. С. 51–57.
  6. 6. Пилипенко В.А., Ковальчук Н.С., Жигулин Д.В., Шестовский Д.В., Анищик В.М., Понарядов В.В. Механизм взаимодействия алюминия с поликремнием при формировании омического контакта методами длительной и быстрой термообработок // Журнал Белорусского государственного университета. Физика. 2024. № 1. С. 42–48.
  7. 7. Пилипенко В.А., Ковальчук Н.С., Шестовский Д.В., Жигулин Д.В. Энергодисперсионный рентгеновский микроанализ – как метод исследования границы раздела алюминий-поликремний после воздействия длительного и быстрого термических отжигов // Приборы и методы измерений. 2024. Т. 15. № 2. С. 104–109. https://doi.org/10.21122/2220-9506-2024-15-2-104-109
QR
Translate

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Higher Attestation Commission

At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation

Scopus

Scientific Electronic Library