ОНИТМикроэлектроника Russian Microelectronics

  • ISSN (Print) 0544-1269
  • ISSN (Online) 3034-5480

Перспективы развития электроннолучевой и ионнолучевой литографии в России

Код статьи
S30345480S0544126925040024-1
DOI
10.7868/S3034548025040024
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Том/ Выпуск
Том 54 / Номер выпуска 4
Страницы
281-290
Аннотация
Рассмотрены вопросы создания отечественных резистов для процессов электроннолучевой и ионнолучевой литографии. Изготовленные позитивные резисты на основе полиметилметакрилата позволяют создавать наноразмерные структуры. Более того, продемонстрирована возможность применения комбинации созданных резистов в качестве двухслойных резистов. Также продемонстрированы перспективы развития отечественных процессов электроннолучевой и ионнолучевой литографии. В настоящий момент собственные отечественные технологические процессы электроннолучевой и ионнолучевой литографии находятся в стадии демонстраторов. В ближайшей перспективе будут разработаны отечественные установки электроннолучевой и ионнолучевой литографии. Для организации производства отечественных установок ионнолучевой литографии потребуется существенно больше времени.
Ключевые слова
электроннолучевая литография ионнолучевая литография резист полиметилметакрилат
Дата публикации
15.05.2025
Год выхода
2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
84

Библиография

  1. 1. Buitrago E., Kulmala T.S., Felica R., Ekinci Y. Chapter 4 – EUV lithography process challenge. Frontiers of Nanoscience. Elsevier. 2016. V. 11. P. 135–176. https://doi.org/10.1016/B978-0-08-100354-1.00004-1
  2. 2. Fu N., Liu Y., Ma X., Chen Z. EUV Lithography: State-of-the-Art Review // J. Microelectron. Manuf. 2019. V. 2. P. 19020202. https://doi.org/10.33079/jomm.19020202
  3. 3. Grigorescu A.E., Hagen C.W. Resists for sub-20-nm electron beam lithography with a focus on HSQ: state of the art // Nanotechnology. 2009. V. 20. P. 292001. https://doi.org/10.1088/0957-4484/20/29/292001
  4. 4. Winston D., Cord B.M., Ming B., Bell D.C., DiNatale W.F., Stern L.A., Vladar A.E., Postek M.T., Mondol M.K., Yang J.K.W., Berggren K.K. Scanning-helium-ion-beam lithography with hydrogen silsesquioxane resist // J. Vac. Sci. Technol. 2009. V. B27. P. 2702–2706. https://doi.org/10.1116/1.3250204
  5. 5. Shabelnikova Ya.L., Zaitsev S.I. Ion-beam lithography: modelling and analytical description of the deposited in resist energy // Technical Physics. 2022. V. 67. P. 919–923. https://doi.org/10.21883/TP.2022.08.54550.104-22
  6. 6. Joshi-Imre A., Bauerdick S. Direct-Write Ion Beam Lithograph // Journal of Nanotechnology. 2014. V. 2014. P. 170415. http://dx.doi.org/10.1155/2014/170415
  7. 7. Sakharov S., Roshchupkin D., Emelin E., Irzhak D., Buzanov O., Zabelin A. X-ray diffraction investigation of high-temperature SAW sensor based on LGS crystal // Procedia Engineering. 2011. V. 25. P. 1020–1023. https://doi.org/10.1016/j.proeng.2011.12.251
  8. 8. Grigoriev M., Fakhrtdinov R., Irzhak D., Firsov Al., Firsov An., Svintsov A., Erko A., Roshchupkin D. Two-dimensional X-ray focusing by off-axis grazing incidence phase Fresnel zone plate on the laboratory X-ray source // Optics Communications. 2017. V. 385. P. 15–18. https://doi.org/10.1016/j.optcom.2016.10.024
  9. 9. Irzhak D.V., Knyasev M.A., Punegov V.I., Roshchupkin D.V. X-ray diffraction by phase diffraction gratings // J. Appl. Cryst. 2015. V. 48. P. 1159–1164. https://doi.org/10.1107/S1600576715011607
  10. 10. Brodie I., Muray J.J. The physics of microfabrication. Plenum Press. New York and London, 1982. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-2160-4
QR
Перевести

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Высшая аттестационная комиссия

При Министерстве образования и науки Российской Федерации

Scopus

Научная электронная библиотека