- Код статьи
- S0544126925030044-1
- DOI
- 10.31857/S0544126925030044
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 54 / Номер выпуска 3
- Страницы
- 224-231
- Аннотация
- На основании самосогласованной модели, описывающей разрыв/восстановление проводящего канала — филамента мемристорной ячейки на основе транспорта кислородных вакансий в оксидах переходных металлов, исследован процесс его стабилизации в процессе начальных переключений из низкоомного состояния в высокоомное и обратно.
- Ключевые слова
- мемристор филамент HRS LRS
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 15
Библиография
- 1. Fadeev A.V., Rudenko K.V. Filament-based memristor switching model // Microelectron. Eng. 2024. V. 289 P. 112179.
- 2. Fadeev A.V., Rudenko K.V. Evolution of the Current–Voltage Characteristic of a Bipolar Memristor, Russian Microelectronics. 2024, V. 53(4). P. 297–302.
- 3. Permiakova O.O., Rogozhin A.E., Miakonkikh A.V., Smirnova E.A., Rudenko K.V. Transition between resistive switching modes in asymmetric HfO2-based structures. // Microelectron. Eng. 2023. V. 275. P. 111983.
- 4. Zhang K., Ganesh P., Cao Y. Deterministic Conductive Filament Formation and Evolution for Improved Switching Uniformity in Embedded Metal-Oxide-Based Memristors─A Phase-Field Study. ACS // Appl. Mater. Interfaces. 2023. V. 15(17). P. 21219–21227.
- 5. Roldán J.B., Miranda E., Maldonado D., Mikhaylov A.N. et al Variability in resistive memories // Adv. Intell. Syst. 2023. V. 5(6). P. 2200338.
- 6. Mikhaylov A., Belov A., Korolev D., Antonov I., Kotomina V., Kotina A., Gryaznov E., Sharapov A., Koryazhkina M., Kryukov R., Zubkov S., Sushkov A., Pavlov D., Tikhov S., Morozov O., Tetelbaum D. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Adv. Mater. Technol. 2020. V. 5. P. 1900607. https://doi.org/10.1002/admt.201900607
- 7. Zhang Y., Mao G.Q., Zhao X. et al. Evolution of the conductive filament system in HfO2-based memristors observed by direct atomic-scale imaging // Nat. Commun. 2021. V.12. P. 7232.
- 8. Privitera S., Bersuker G., Butcher B., Kalantarian A., Lombardo S., Bongiorno C., Geer R., Gilmer D.C., Kirsch P.D. Microscopy study of the conductive filament in HfO2 resistive switching memory devices // Microelectron. Eng. 2013. V. 109. P. 75–78.
- 9. Marchewka A., Waser R. and Menzel S. Physical simulation of dynamic resistive switching in metal oxides using a Schottky contact barrier model. // 2015. International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Washington DC. USA. 2015. P. 297–300.
- 10. Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices. // Third ed., John Wiley & Sons, New Jersey, 2007.
