Биполярный транзистор c туннельным пробоем

Рехвиашвили С. Ш.

doi:10.31857/S0544126924060072

Русский

Главная>Номер выпуска 6>Биполярный транзистор c туннельным пробоем

Биполярный транзистор c туннельным пробоем

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Биполярный транзистор c туннельным пробоем

Аннотация

Код статьи

S0544126924060072-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Рехвиашвили С. Ш. Связаться с автором

Аффилиация: Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова

Выпуск

Том 53 Номер выпуска 6

Страницы

553-558

Аннотация

В статье рассматривается биполярный транзистор, функционирующий при туннельном пробое коллекторного перехода. Эквивалентная схема транзистора строится из двух низковольтных диодов стабилитронов, включенных навстречу друг другу. Интегральные микросхемы на комплиментарных транзисторах с туннельным пробоем могут изготавливаться на одном кристалле с помощью КМОП-технологии. Проведены экспериментальные и теоретические исследования физической модели транзистора. Процессы инжекции и экстракции носителей заряда в условиях туннельного пробоя коллекторного перехода приводят к снижению роли барьерных емкостей p-n-переходов и существенному повышению скорости переключения транзистора. Выявлено, что стандартная SPICE-модель диода количественно не воспроизводит экспериментальные данные для стабилитронов с туннельным типом пробоя. Предложено новое выражение, корректно описывающее вольт-амперную характеристику для данного случая в широком диапазоне напряжений. Получено условие пробоя транзистора и вычислено напряжение пробоя.

Ключевые слова

биполярный транзистор стабилитрон туннельный пробой статические и динамические характеристики троичная логика

Классификатор

Получено

02.03.2025

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Рехвиашвили С. Биполярный транзистор c туннельным пробоем // Микроэлектроника. – 2024. – T. 53. – Номер выпуска 6 C. 553-558 . URL: https://microelectronicsras.ru/s0544126924060072-1/?version_id=105610. DOI: 10.31857/S0544126924060072
MLA	Rekhviashvili, S. Sh "Tunnel Breakdown Bipolar Transistor." Russian Microelectronics. 53.6 (2024).:553-558. DOI: 10.31857/S0544126924060072
APA	Rekhviashvili S. (2024). Tunnel Breakdown Bipolar Transistor. Russian Microelectronics. vol. 53, no. 6, pp.553-558 DOI: 10.31857/S0544126924060072

Библиография

1. Miller S. L., Ebers J. J. // Bell Labs Tech. J. 1955. V. 34. № 5. P. 883–902.

2. Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах. М.: Сов. радио, 1973. 208 с.

3. Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение. М.: Солон-Пресс, 2012. 384 с.

4. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление. М.: Мир, 1985. 504 с.

5. Алехин В. А. Электроника: теория и практика. Моделирование в среде TINA-8. М.: Горячая Линия — Телеком, 2017. 308 с.

6. Wong S., Hu C. M. // IEEE Circuits and Devices Magazine. 1991. V. 7. № 4. P. 9–12.

7. Писарев А. Д., Бусыгин А. Н., Бобылев А. Н., Удовиченко С. Ю. // Вестник Тюменского государственного университета. Физико-математическое моделирование. Нефть, газ, энергетика. 2017. Т. 3. № 4. С. 142–149.

8. Есин А. А. // Управление большими системами. 2020. № 88. С. 69–98.

9. Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564 с.

10. Дубинов А. Е., Дубинова И. Д., Сайков С. К. W-функция Ламберта и ее применение в математических задачах физики. Саров: ФГУП “РФЯЦ-ВНИИЭФ”, 2006. 160 с.

11. Mezo I. The Lambert W function: Its generalizations and applications. N.Y.: CRC Press, Taylor & Francis Group, 2022. 252 p.

12. Рехвиашвили С. Ш., Нарожнов В. В. Способ повышения быстродействия транзисторов и транзисторных интегральных схем. Патент РФ № 2799113. Приоритет от 18.03.2022.

13. Альтудов Ю. К., Гаев Д. С., Псху А. В., Рехвиашвили С. Ш. // Микроэлектроника. 2023. T.52. № 6. С. 489–496.

Библиография

Комментарии

Войти через