Везде
Electron transport and field electron emission mechanisms in 2D noncrystalline hetero structures with quantum barrier
Table of contents
Annotation Estimate Publication content
References Comments
Share
QR
Metrics
Electron transport and field electron emission mechanisms in 2D noncrystalline hetero structures with quantum barrier
Annotation
PII
S0544126924050043-1
Publication type
Article
Status
Published
Authors
G. Ya. Krasnikov 
Affiliation: Joint-Stock Company “Scientific-Research Institute of Molecular Electronics”
R. K. Yafarov
Affiliation: Saratov branch-office of the Kotelnikov V. A. Institute for Radiotechnics and Electronics of the Russian Academy of Sciences
Edition
Volume 53 Issue number 5
Pages
389-396
Abstract
Impact of the depth of a quantum barrier in the form of a tunnel-thin charge-depletion carbon layer in the enriched noncrystalline carbon template on non-dissipative transport and field electron emission has been studied. It has been shown that cross-current nonlinearities in current variables in heterostructures with static low-field electric effects and current-voltage curve parameters of the field electron emission in the strong pulse electric fields with microsecond duration are determined by the parameters of quantum barrier and by the implementation of resonant tunneling conditions with different zero levels of size quantization energy.
Keywords
углеродная гетероструктура размерное квантование электронный транспорт полевая эмиссия электронов
Received
23.02.2025
Number of purchasers
0
Views
21
Readers community rating
0.0 (0 votes)
Cite   Download pdf

References

1. Jin-Woo Han, Jae Sub Oh and M. Meyyappan. Vacuum nanoelectronics: Back to the future? — Gate insulated nanoscale vacuum channel transistor. Appl. Phys. Lett. 100, 213505 (2012). http://dx.doi.org/10.1063/1.4717751.

2. Fowler R.H., Nordheim L.W. Electronemission in intense electric fields // Proc. R. Soc. London. A. 1928. V. 119. P. 173–181.

3. Патент RU2 455 724 C1. Опубликовано: 10.07.2012. Бюл. № 19. Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий. Авторы: Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Орлов С.Н., Хомяков И.А., Яфаров Р.К.

4. Marcus R.B., Ravi T.S., Gmitter T. et all. Formation of silicon tips with < 1 nm radius // Applied Physics Letters. 1990. Vol. 56, № 3. P. 236–238.

5. Фурсей Г.Н., Поляков М.А., Кантонистов А.А., и др. // ЖТФ. 2013. Т. 83. № 6. С. 71.

6. Panda K., Hyeok J.J., Park J.Y., et al. // Sci. Rep. 2007. № 7. P. 16325.

7. Sobaszek M., Siuzdak K., Ryl J., et al. // J. Phys. Chem. C. 2017. V. 121. № 38. P. 20821.

8. Яфаров Р.К., Сторублев А.В. Долговременная воспроизводимость эмиссионных характеристик алмазографитовых полевых источников электронов в нестационарных вакуумных условиях эксплуатации // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47, вып. 24. С. 17–19.

9. Блохинцев Д.И. Основы квантовой механики. М.: Наука, 1٩83.

10. Бонч-Бруевич В.Л, Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1٩77. 672 с.

11. Пул Ч. – мл., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. Москва.: Техносфера, 2006. 336 с.

12. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. Москва. Физматкнига, 2006. 496 с.

13. Успехи наноинженерии: электроника, материалы, структуры. Под ред. Дж. Дэвиса, М. Томсона. Москва.: Техносфера, 2011. 491 с.

14. Яфаров Р.К. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий. М.: Физматлит, 2009. 216 с.

15. Яфаров Р.К. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. № 9. С. 3.

Comments

No posts found

Write a review
Translate