Механизмы транспорта и полевой эмиссии электронов в 2D некристаллических углеродных гетероструктурах с квантовым барьером

Красников Г. Я.; Яфаров Р. К.

doi:10.31857/S0544126924050043

Главная>Номер выпуска 5>Механизмы транспорта и полевой эмиссии электронов в 2D некристаллических углеродных гетероструктурах с квантовым барьером

Механизмы транспорта и полевой эмиссии электронов в 2D некристаллических углеродных гетероструктурах с квантовым барьером

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Аннотация

Код статьи

S0544126924050043-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Красников Г. Я. Связаться с автором

Аффилиация: Акционерное общество «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»

Яфаров Р. К.

Аффилиация: Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Выпуск

Том 53 Номер выпуска 5

Страницы

389-396

Аннотация

Исследовано влияние ширины квантового барьера в виде туннельно тонкого обедненного носителями заряда углеродного слоя в обогащенной некристаллической углеродной матрице на бездиссипативный транспорт и полевую эмиссию электронов. Показано, что нелинейности поперечных тока в гетероструктурах при статических низкополевых электрических воздействиях и параметров вольт-амперных характеристик полевой эмиссии электронов в сильных импульсных электрических полях микросекундной длительности определяются параметрами квантового барьера и реализацией условий резонансного туннелирования с участием различных нулевых уровней энергии размерного квантования.

Ключевые слова

углеродная гетероструктура размерное квантование электронный транспорт полевая эмиссия электронов

Классификатор

Получено

23.02.2025

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Красников Г. , Яфаров Р. Механизмы транспорта и полевой эмиссии электронов в 2D некристаллических углеродных гетероструктурах с квантовым барьером // Микроэлектроника. – 2024. – T. 53. – Номер выпуска 5 C. 389-396 . URL: https://microelectronicsras.ru/s0544126924050043-1/?version_id=105597. DOI: 10.31857/S0544126924050043
MLA	Krasnikov, G. Ya, Yafarov, R. K "Electron transport and field electron emission mechanisms in 2D noncrystalline hetero structures with quantum barrier." Russian Microelectronics. 53.5 (2024).:389-396. DOI: 10.31857/S0544126924050043
APA	Krasnikov G., Yafarov R. (2024). Electron transport and field electron emission mechanisms in 2D noncrystalline hetero structures with quantum barrier. Russian Microelectronics. vol. 53, no. 5, pp.389-396 DOI: 10.31857/S0544126924050043

Библиография

1. Jin-Woo Han, Jae Sub Oh and M. Meyyappan. Vacuum nanoelectronics: Back to the future? — Gate insulated nanoscale vacuum channel transistor. Appl. Phys. Lett. 100, 213505 (2012). http://dx.doi.org/10.1063/1.4717751.

2. Fowler R.H., Nordheim L.W. Electronemission in intense electric fields // Proc. R. Soc. London. A. 1928. V. 119. P. 173–181.

3. Патент RU2 455 724 C1. Опубликовано: 10.07.2012. Бюл. № 19. Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий. Авторы: Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Орлов С.Н., Хомяков И.А., Яфаров Р.К.

4. Marcus R.B., Ravi T.S., Gmitter T. et all. Formation of silicon tips with < 1 nm radius // Applied Physics Letters. 1990. Vol. 56, № 3. P. 236–238.

5. Фурсей Г.Н., Поляков М.А., Кантонистов А.А., и др. // ЖТФ. 2013. Т. 83. № 6. С. 71.

6. Panda K., Hyeok J.J., Park J.Y., et al. // Sci. Rep. 2007. № 7. P. 16325.

7. Sobaszek M., Siuzdak K., Ryl J., et al. // J. Phys. Chem. C. 2017. V. 121. № 38. P. 20821.

8. Яфаров Р.К., Сторублев А.В. Долговременная воспроизводимость эмиссионных характеристик алмазографитовых полевых источников электронов в нестационарных вакуумных условиях эксплуатации // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47, вып. 24. С. 17–19.

9. Блохинцев Д.И. Основы квантовой механики. М.: Наука, 1٩83.

10. Бонч-Бруевич В.Л, Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1٩77. 672 с.

11. Пул Ч. – мл., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. Москва.: Техносфера, 2006. 336 с.

12. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. Москва. Физматкнига, 2006. 496 с.

13. Успехи наноинженерии: электроника, материалы, структуры. Под ред. Дж. Дэвиса, М. Томсона. Москва.: Техносфера, 2011. 491 с.

14. Яфаров Р.К. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий. М.: Физматлит, 2009. 216 с.

15. Яфаров Р.К. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. № 9. С. 3.

Библиография

Комментарии

Войти через