Везде

Methodology of Production of Photo-Sensitive Elements on Ptsi Basis

You can
PII
S0544126924040053-1
DOI
10.31857/S0544126924040053
Publication type
Article
Status
Published
Authors
E. A. Kerimov
  • Affiliation: Azerbaijan State Technical University
Volume/ Edition
Volume 53 / Issue number 4
Pages
331-334
Abstract
Schottky barrier diodes based on PtSi-Si contact can be used as detectors for registration of radiation in the infrared spectral region. However, the quantum efficiency of such receivers is very low compared to photodetectors based on narrow-gap semiconductors and p-n junctions. To increase the quantum efficiency of Schottky receivers, as it will be shown below, they are made in the form of the so-called “optical cavity”, and the thickness of PtSi should not exceed 100 A0. For this purpose we have developed a technological mode of multilayer metallization to obtain thin PtSi-Si contacts.
Keywords
Шоттки — приемники технологический режим многослойная металлизации абсолютная шкала
Date of publication
26.07.2025
Number of purchasers
0
Views
66

References

  1. 1. Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. — М.: Техносфера, 2010. 336 с.
  2. 2. Шапочкин М.Б. Статистическая физика / М.Б. Шапочкин. М.: Издат. дом Моск. Физ. о-ва, 2004. 85 с.
  3. 3. Гольдаде В.А., Пинчук Л.С. Физика конденсированного состояния. Белорусская наука, 2009. 648 с.
  4. 4. Парфенов В.В. Квантово-размерные структуры в электронике: оптоэлектроника. Казань: КГУ, 2007. 16 с.
  5. 5. Фролов В.Д. Размерный эффект в работе выхода электронов / В.Д. Фролов, С.М. Пименов, В.И. Конов, Е.Н. Лубнин // Российские нанотехнологии. 2008. Т. 3. С. 102.
  6. 6. Кудрик Я.Я., Шинкаренко В.В., Слепокуров В.С., Бигун Р.И., Кудрик Р.Я. Методы определения высоты барьера Шоттки из вольт-амперных характеристик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014. вып. 49. С. 21–28.
  7. 7. Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем. — СПб.: Наука, 2001. 160 с.
QR
Translate