Методика изготовления фоточувствительных элементов на основе PtSi

Керимов Э. А.

doi:10.31857/S0544126924040053

Русский

Главная>Номер выпуска 4>Методика изготовления фоточувствительных элементов на основе PtSi

Методика изготовления фоточувствительных элементов на основе PtSi

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Методика изготовления фоточувствительных элементов на основе PtSi

Аннотация

Код статьи

S0544126924040053-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Керимов Э. А. Связаться с автором

Аффилиация: Азербайджанский государственный технический университет

Выпуск

Том 53 Номер выпуска 4

Страницы

331-334

Аннотация

Диоды с барьером Шоттки на основе контакта PtSi-Si могут использоваться в качестве детекторов для регистрации излучения в ИК — области спектра. Однако квантовая эффективность у таких приемников очень мала по сравнению с фотоприемниками на основе узкозонных полупроводников и на p-n переходах. Для увеличения квантовой эффективности Шоттки приемники изготавливаются, как будет показано ниже, в виде так называемой “оптической полости”, причем толщина PtSi не должна превышать 100 А⁰. С этой целью нами разработан технологический режим многослойной металлизации для получения тонких контактов PtSi-Si.

Ключевые слова

Шоттки — приемники технологический режим многослойная металлизации абсолютная шкала

Классификатор

Получено

12.11.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Керимов Э. Методика изготовления фоточувствительных элементов на основе PtSi // Микроэлектроника. – 2024. – T. 53. – Номер выпуска 4 C. 331-334 . URL: https://microelectronicsras.ru/s0544126924040053-1/?version_id=105591. DOI: 10.31857/S0544126924040053
MLA	Kerimov, E. A "Methodology of Production of Photo-Sensitive Elements on Ptsi Basis." Russian Microelectronics. 53.4 (2024).:331-334. DOI: 10.31857/S0544126924040053
APA	Kerimov E. (2024). Methodology of Production of Photo-Sensitive Elements on Ptsi Basis. Russian Microelectronics. vol. 53, no. 4, pp.331-334 DOI: 10.31857/S0544126924040053

Библиография

1. Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. — М.: Техносфера, 2010. 336 с.

2. Шапочкин М.Б. Статистическая физика / М.Б. Шапочкин. М.: Издат. дом Моск. Физ. о-ва, 2004. 85 с.

3. Гольдаде В.А., Пинчук Л.С. Физика конденсированного состояния. Белорусская наука, 2009. 648 с.

4. Парфенов В.В. Квантово-размерные структуры в электронике: оптоэлектроника. Казань: КГУ, 2007. 16 с.

5. Фролов В.Д. Размерный эффект в работе выхода электронов / В.Д. Фролов, С.М. Пименов, В.И. Конов, Е.Н. Лубнин // Российские нанотехнологии. 2008. Т. 3. С. 102.

6. Кудрик Я.Я., Шинкаренко В.В., Слепокуров В.С., Бигун Р.И., Кудрик Р.Я. Методы определения высоты барьера Шоттки из вольт-амперных характеристик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014. вып. 49. С. 21–28.

7. Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем. — СПб.: Наука, 2001. 160 с.

Библиография

Комментарии

Войти через