Везде
Approximation of the Absorption Spectrum of Indium Phosphide in the Context of Simulation of the Process of Sensitivity Enhancement
Table of contents
Annotation Estimate Publication content
References Comments
Share
QR
Metrics
Approximation of the Absorption Spectrum of Indium Phosphide in the Context of Simulation of the Process of Sensitivity Enhancement
Annotation
PII
S0544126924040041-1
Publication type
Article
Status
Published
Authors
P. V. Makarenko 
Affiliation: Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov (VSUFT)
Edition
Volume 53 Issue number 4
Pages
318-330
Abstract
Examines the fundamental rights of Phosphide of India, legitimized by Tellur and, in the last resort, compensated for. Data on the composition of four high-quality images of the InP: Cu photoelectronic spectrum are presented in the individual layers. The work is characterized by the semi-empiric approach to photoconduction of InP: Cu oxide films. It is concluded that the photoresistance Iph (α(ћω)) was analytically approximated as the function of the experimental-complete spectral distribution of the coefficiency phosphorus india. It is proposed to use five approximating functions with the aim of analyzing the coefficient of absorption of Indian phosphorus α(ћω). Completed 5 locations with different signs of median isolation. On the basis of analytical amplitudes, the complete analytical amplitude Iph(α(ћω)) is modelled. Analogously, five conclusions were drawn that indicate a sign of median isolation. Five non-stationary measures of IF photometry have been taken (as two functions: co-efficiency of exposure, as photo energy functions, and time-consuming observations) in normal situations. The answer to the question is the most mathematical and physical solution of the proximate function α(ћω). Obviously, it shows that this the degree of variance is optimal for its implementation (inclusion of this degree of variance in the structure Iph = f(α) and α = f(ћω)) of the complete analytical description of the process photoconductivity. It should be noted that subsequent research may be based on the establishment of physical bases of photoconductivity in the short wave of fundamental transfers of phosphorus from India, as well as research into the properties of air on the high InP: Cu layer, with its stability and stability.
Keywords
фосфид индия аппроксимация коэффициент поглощения фотопроводимость глубокие примеси поверхностные эффекты среднеквадратичное отклонение спектральный максимум расслоение
Received
12.11.2024
Number of purchasers
0
Views
15
Readers community rating
0.0 (0 votes)
Cite   Download pdf

References

1. Макаренко Ф.В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в высокоомном фосфиде индия с примесями Сu и Fe [Текст]: дис. … канд. физ. — мат. наук: 01.04.07: защищена 23.12.08 / Ф.В. Макаренко. Воронеж, 2008. 161 с. Библиогр.

2. Мельник В.А. Влияние комбинированного возбуждения на фотопроводимость фосфида индия, компенсированного медью [Текст]: дис. … канд. физ. — мат. наук: 01.04.07: защищена 02.12.08 / В.А. Мельник. Воронеж, 2008. 127 с. Библиогр.

3. Особенности спектров собственной фотопроводимости в фосфиде индия, компенсированном медью / Ф.В. Макаренко, Н.Н. Прибылов, С.И. Рембеза, В.А. Мельник // ФТП. 2008. Т. 42. № 5. С. 542–545.

4. Specific features of intrinsic photoconductivity spectra of cooper-compensated indium phosphide / Ph.V. Makarenko, S.I.. Rembeza, V.A. Mel’nik, N.N. Pribylov // Semiconductors. 2008. Т. 42. № 5. С. 528–530.

5. Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Сустретов А.А. Амфотерное поведение меди в фосфиде индия. // ФТП. 1994. Т. 28. Вып. 3. С. 467–471.

6. Ковалевская Г.Г., Клотыньш Э.Э., Наследов Д.Н., Слободчиков С.В. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства InP, легированного медью. // ФТТ, 1966. Т. 8. Вып. 8. С. 2415–2419.

7. Ковалевская Г.Г., Наследов Д.Н., Сиукаев Н.В., Слободчиков С.В. Спектральная фоточувствительность InP n-типа. // ФТТ, 1966. Т. 8. Вып. 2. С. 475–477.

8. Кирсон Я.Э., Клотыньш Э.Э., Круминя Р.К. Компенсация доноров в фосфиде индия медью // ФТП, 1988. Т. 22. Вып. 3. С. 565. Деп. в ВИНИ-ТИ, № Р-4319/87.

9. Негрескул В.В., Руссу Е.В., Радауцан С.И., Чебан А.Г. Излучательная рекомбинация в легированных кристаллах фосфида индия // ФТП, 1975. Т. 9. Вып. 5. С. 893–900.

10. Дахно А.Н., Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Метревели С.Г. Влияние компенсации на проводимость по примесям в n-InP при промежуточном легировании. // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 4. С. 677–682.

11. Витовский Н.А., Лагунова Т.С., Рахимов О. Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфидах индия n-типа со скоплениями акцепторов. // ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 9. С. 1624–1628.

12. Ковалевская Г.Г., Алюшина В.И., Слободчиков С.В. О низкочастотных колебаниях тока в In P. // ФТП. 1975. Т. 9. Вып. 11. С. 2125–2128.

13. Kullendorff N., Jansson L., Ledebo L-A. Copper-related depp level defects in III–V semiconductors // J. Appl.Phys. 1983. V. 56. N 6. P. 3203–3212.

14. Skolnick M.S., Dean P.J., Pitt A.D., Uihlein Ch., Krath H., Deveaud B., Foulkes E.J. Optical properties of copper-related centers in In P. // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1983. V. 16. P. 1967–1985.

15. Jyh-Chwen Lee, Milnes A.G., Schlesinger T.E. Quenching of band-edge photoluminescence in InP by Cu. // Phys.Rev.B. 1986. V. 34. N 10. P. 7385–7387.

16. Сушков С.А. Примесные состояния меди в фосфиде индия. Автореф. канд. дисс. Воронеж, 1999.

17. Москвичев А.В. Эффекты инфракрасного гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в фосфидах галлия и индия, легированных медью. Автореф. канд. дисс. Воронеж, 2002.

18. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие для студентов вузов. 2-е изд., переаб. и доп. М.: Высш. школа, 1979. 367 с., ил.

19. Мельник В.А., Прибылов Н.Н., Макаренко Ф.В., Рембеза С.И. Влияние примесного излучения на собственную фотопроводимость фосфида индия, компенсированного медью \\ О 62 Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды X международной конференции. Ульяновск: УлГУ, 2008. С. 52

20. Анализ спектров фотопроводимости полупроводниковых соединений AIIIBV / Ф.В. Макаренко, К.В. Зольников, В.А. Скляр, А.В. Ачкасов // Моделирование систем и процессов. Воронеж, Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г.Ф. Морозова, 2015. Т. 8. № 2. С. 17–18.

21. Исследование влияния силы тока на изменение длины волны, соответствующей максимуму излучения индикатора красного цвета свечения / Ф.В. Макаренко, М.И. Черных, К.В. Зольников, В.Н. Макаренко // Моделирование систем и процессов. Воронеж, Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г.Ф. Морозова. 2018. Т. 11. № 3. С. 39–44.

22. Сужение спектра излучения GaAs светодиода за счет применения светофильтра InP (Ag) / Ф.В. Макаренко, А.В. Арсентьев, К.В. Зольников // Моделирование систем и процессов. Воронеж, Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г.Ф. Морозова. 2020. Т. 13. № 4. С. 32–38.

23. Механизмы удаления оксидов с поверхности InP при прогреве в потоке мышьяка / Д.В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов, К.С. Журавлев // Автометрия. 2021. Т. 57, № 5. С. 11–17.

24. Агаев В.В. Электрические свойства эпитаксиальных пленок INP, выращенных на полуизолирующих подложках / В.В. Агаев, Г.И. Яблочкина, Ф.К. Агаева // Труды СКГМИ (ГТУ). 2022. № 29. С. 23–26.

25. Дрейманис Э.А., Кирсон Я.Э., Клотыньш Э.Э., Круминя Р.К. Изучение влияния меди на электрофизические свойства фосфида индия. // Изв. АН Латв.ССР: Сер. физ. и техн. н. 1986. № 2. С. 19–25.

26. Substitution of Phosphorus at the InP(001) Surface Upon Annealing in an Arsenic Flux / D.V. Dmitriev, D.A. Kolosovsky, E.V. Fedosenko [et al.] // Semiconductors. 2022.

27. TO-phonon anisotropies in a highly doped InP (001) grating structure / L.D. Espinosa-Cuellar, L.F. Lastras-Martínez, R.E. Balderas-Navarro [et al.] // Applied Physics Letters. 2021. V. 119. No. 14. P. 141102.

28. Chen P.R. Roles of alcohols and existing metal ions in surface chemistry and photoluminescence of InP cores / P.R. Chen, K.Y. Lai, H.S. Chen // Materials Advances. 2021. V. 2. No. 18. P. 6039–6048.

29. InP nanowire light-emitting diodes with different pn-junction structures / S. Kimura, H. Gamo, Y. Katsumi [et al.] // Nanotechnology. 2022. V. 33, No. 30. P. 305204.

30. Nanoengineering InP Quantum Dot-Based Photoactive Biointerfaces for Optical Control of Neurons / O. Karatum, R. Melikov, S.B. Srivastava [et al.] // Frontiers in Neuroscience. 2021. V. 15. No. APR. P. 652608.

31. Ультрамягкая рентгеновская эмиссионная и инфракрасная спектроскопии в исследовании функциональных наноразмерных пленок на InP / И.Я. Миттова, К.А. Барков, В.А. Терехов [и др.] // Неорганические материалы. 2021. Т. 57, № 12. С. 1330–1336.

32. Новые материалы на основе систем InP-CdTe, CdS-CdTe. Их сравнительные свойства / И.А. Кировская, П.Е. Нор, А.О. Эккерт [и др.] // Материаловедение. 2023. № 1. С. 21–27.

33. Изготовление электрооптических модуляторов на основе InP для ВОЛС и проведение автоматизированного визуального контроля их поверхности на предмет наличия дефектов / Ю.А. Шурыгин, С.В. Ишуткин, Б.В. Ширяев, Ю.С. Жидик // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. 2022. Т. 25, № 3. С. 21–27.

34. Определение потока и энергии активации десорбции фосфора при отжиге в потоке мышьяка подложки InP(001) в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии / Д.А. Колосовский, Д.В. Дмитриев, С.А. Пономарев [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 7. С. 646–650.

35. Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии / К.С. Журавлев, A.M. Гилинский, И.Б. Чистохин [и др.] // Журнал технической физики. 2021. Т. 91, № 7. С. 1158–1163.

36. Оптические и электронные свойства пассивированных поверхностей InP(001) / П.А. Дементьев, Е.В. Дементьева, Т.В. Львова [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 8. С. 644–648.

37. Особенности спектров собственной фотопроводимости в фосфиде индия, легированном железом / Ф.В. Макаренко, Н.Н. Прибылов, В.А. Мельник // Вестник ВГТУ. 2007. Т. 3. № 11. С. 137–138.

38. Влияние обработки поверхности на фотопроводимость InP: Cu в собственной области / Ф.В. Макаренко, С.И. Рембеза, Н.Н. Прибылов, В.А. Мельник / Тез. докл. международной научной конф. “Актуальные проблемы физики твердого тела”, 23–26 октября 2007 г. Минск.: Изд-во БГУ, 2007. С. 85–86.

39. Моделирование релаксации дополнительного пика фотопроводимости InP: Cu / Ф.В. Макаренко, В.А. Мельник, А.А. Кожевников // Тез. докл. международной научной конф. “Компьютерные технологии в технике и экономике”, 21–22 мая 2007. Воронеж.: Изд.-во Междунар. ин-та компьют. технологий, 2007. С. 58–62.

40. Обработка спектров поглощения полупроводников, полученных на спектрометре СДЛ-2 / Плотникова Е.Ю., Макаренко Ф.В. // 49 научно-техническая конференция преподавателей и студентов ВГТУ “Микроэлектроника” Секция № 1 “Физические свойства материалов и элементов электронной техники” Воронеж 20–23 апреля 2009 г. C. 16.

41. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 2, с. 341

42. Суэмацу Я., Катаока С., Кисино К., Кокубун Я., Судзуки Т., Исии О., Енэдзава С. Основы оптоэлектроники: Пер. с яп. — М.: Мир, 1988. О75 288 с., ил. с. 89

43. Потапович Н.С. Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP / Н.С. Потапович, М.В. Нахимович, В.П. Хвостиков // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 11. С. 1091–1094.

44. Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей n-InP(100) / М.В. Лебедев, Т.В. Львова, А.Н. Смирнов [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56, № 7. С. 659–666.

45. Мордвинова Н.Е. Коллоидные квантовые точки фосфида индия, легированные цинком [Текст]: дис. … канд. хим. наук: 02.00.01: защищена 03.03.17 / Н.Е. Мордвинова. Москва, 2017. 158 с. Библиогр.

46. Moss T.S. Semiconductor Opto-Electronics [Текст]: учеб.-моногр. пособие (исправленное)/ T.S. Moss, G.J. Burrell, B. Ellis. Оксфорд, 2013. 454 с.

47. Агекян В.Ф. Основы фотоники полупроводниковых кристаллов и наноструктур [Текст]: учеб.-мет. пособие / В.Ф. Агекян; Санкт-Петербургский гос. ун-т, Физ. фак., Каф. физики твердого тела. Санкт-Петербург: Соло, 2007. 132 с.

48. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников [Текст]: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по физическим и техническим направлениям и специальностям / А.И. Ансельм. Изд. 3-е, стер. Санкт-Петербург [и др.]: Лань, 2008. 618 с.

Comments

No posts found

Write a review
Translate