Ripple of a DC/DC converter based on SEPIC topology
Table of contents
Share
QR
Metrics
Ripple of a DC/DC converter based on SEPIC topology
Annotation
PII
S0544126924020056-1
Publication type
Article
Status
Published
Authors
V. K. Bityukov 
Affiliation: Russian Technological University (RTU MIREA)
Pages
162-168
Abstract
Mathematical models serve as the basis for unified methods for the calculation and designing of radio-electronic devices. The developed limiting continuous mathematical model of a DC/DC converter, built using SEPIC topology, allows to determine the range of changes in currents flowing through the inductor windings and voltages on the capacitor plates, as well as to determine their maximum and minimum values for various converter parameters, such as switching frequency of the power switch, fill factor, element ratings, etc. The research results have shown that the phase coordinates of the mathematical model tend to the real values of currents and voltages of the converter when the switching frequency of the power switch is more than 200 kHz. Correspondence is established between the calculated values of the pulsation ranges and the results obtained during modelling (with changes in the filling factor and switching frequency of the power switch).
Keywords
преобразователь DC/DC SEPIC топология математическая модель пульсации токов и напряжений частота коммутации коэффициент заполнения номиналы элементов расчет моделирование
Received
31.08.2024
Number of purchasers
0
Views
70
Readers community rating
0.0 (0 votes)
Cite   Download pdf Download JATS

References

1. Шубин В.В. Высоковольтный КМОП преобразователь уровня напряжения для низковольтового технологического процесса // Микроэлектроника. 2022. Т. 51. № 3. С. 202–211. DOI: S0544126922020089. EDN: PELNYF.

2. Бабенко В.П., Битюков В.К., Симачков Д.С. Понижающе-повышающий DC/DC преобразователь с единственной индуктивностью // Микроэлектроника. 2022. Т. 51. № 1. С. 60–70. DOI: S0544126921060041. EDN: ESWIIC.

3. Применение преобразователей постоянного напряжения в составе энергетической установки электрического транспортного средства / В.Е. Ютт, В.В. Лохнин, К.М. Сидоров, К.Х. Гулямов // Вестник Московского автомобильно-дорожного государственного технического университета (МАДИ). 2015. № 4(43). С. 34–40. EDN: UYSEBH.

4. Битюков В.К., Симачков Д.С., Бабенко В.П. Схемотехника электропреобразовательных устройств: Учебник для студентов, обучающихся по направлениям бакалавриата 11.03.01 “Радиотехника”, 11.03.02 “Инфокоммуникационные технологии и системы связи”, 11.03.03 “Конструирование и технология электронных средств”, магистратуры 11.04.01 “Радиотехника”, а также по специальности специалитета 11.05.01 “Радиоэлектронные системы и комплексы”, для углубленного изучения дисциплины “Схемотехника электронных устройств”. Вологда: Инфра-Инженерия, 2023. 384 с.

5. Мыслимов Д.А. Математическое моделирование понижающего DC/DC-преобразователя в среде NI Multisim // Перспективы науки. 2023. № 3(162). С. 80–83. EDN: EEPFUZ.

6. Коршунов А. Методика построения непрерывных моделей импульсных преобразователей напряжения постоянного тока // Компоненты и технологии. 2006. № 8(61). С. 124–130. EDN: MTFMUV.

7. Лавренов А.И., Битюков В.К. Математическая модель DC/DC-преобразователя, построенного по топологии SEPIC // Russian Technological Journal. 2024. № 1. С. 48–58.

8. Коршунов А. Импульсный преобразователь напряжения постоянного тока по схеме Чука // Силовая электроника. 2017. Т. 4. № 67. С. 60–66. EDN: ZQLXRR.

9. Битюков В.К., Лавренов А.И., Малицкий Д.А. Математическая модель DC/DC преобразователя, построенного по Zeta топологии (часть 1) // Проектирование и технология электронных средств. 2022. № 4. С. 53–57. EDN: SGUTFI.

10. Битюков В.К., Лавренов А.И., Малицкий Д.А. Математическая модель DC/DC преобразователя, построенного по Zeta топологии (часть 2) // Проектирование и технология электронных средств. 2023. № 1. С. 48–53. EDN: VXPIIR.

11. Бабенко В.П., Битюков В.К. Энергетические и шумовые характеристики конверторного преобразователя SEPIC/Cuck с биполярным выходом // Микроэлектроника. 2021. Т. 50. № 5. С. 394–400. DOI: S0544126921040025. EDN: SGUPMB.

Comments

No posts found

Write a review
Translate