ОНИТМикроэлектроника

• Структурные особенности и электрические свойства термомиграционных каналов Si(Al) для высоковольтных фотоэлектрических преобразователей

  Ломов А. А.
  119-131

• Моделирование диффузии атомов в многокомпонентных полупроводниках в неупорядоченном состоянии

  Асадов С. М.
  132-141

• Применение метода конечных элементов для расчета параметров поверхностных акустических волн и устройств на их основе

  Койгеров А. С.
  142-155

• Новый подход к моделированию радиационных эффектов низкой интенсивности в биполярных микросхемах

  Чумаков А. И.
  156-161

• Пульсации DC/DC преобразователя, построенного по SEPIC топологии

  Битюков В. К.
  162-168

• Влияние примеси никеля на эксплуатационные параметры кремниевого солнечного элемента

  Кенжаев З. Т.
  169-178

• Временные изменения механизмов токопрохождения в легированном эрбием пористом кремнии

  Хамзин Э. Х.
  179-186