ОНИТМикроэлектроника Russian Microelectronics

• Электрофизические параметры и эмиссионные спектры тлеющего разряда дифтордихлорметана

  Мурин Д. Б.
  347-353

• Защитные свободновисящие пленки для установок проекционной литографии экстремального ультрафиолетового диапазона

  Зуев С. Ю.
  354-366

• Моделирование влияния решеточных дефектов на работу разделения соединенных материалов

  Сарычев М. Е.
  367-373

• Компьютерное исследование влияния неоднородностей высокоомного слоя на резистивные переключения в структуре на основе микрокристалла селенида висмута

  Сироткин В. В.
  374-382

• О влиянии малых добавок F₂, H₂ и HF на концентрации активных частиц в плазме тетрафторметана

  Ефремов А. М.
  383-389

• Закономерности формирования подвижных локализованных магнитных конфигураций и технология изготовления структур для реализации элементов магнитной памяти

  Проказников А. В.
  390-403

• Нейроморфные системы: приборы, архитектура и алгоритмы

  Фетисенкова К.А. / Рогожин А. Е.
  404-422

• Влияние деградации горячих носителей на характеристики высоковольтного КНИ транзистора с большой областью дрейфа

  Масальский Н. В.
  423-430

• Влияние материала электродов на электроформовку и свойства мемристоров на основе открытых “сэндвич”-структур металл–SiO₂–металл

  Мордвинцев В. М.
  431-440