RAS Nano & ITМикроэлектроника Russian Microelectronics

• Controlling Silicon Etching Parameters in RF CHF3 Plasma by Optical Emission Spectroscopy

  D. B. Murin / I. A. Chesnokov / S. A. Pivovarenok / A. M. Efremov
  3-10

• Электрофизические характеристики и эмиссионные спектры плазмы тетрафторметана

  D. B. Murin / S. A. Pivovarenok / I. A. Cesnokov / I. A. Gogulev
  11-19

• Искусственный интеллект никогда не заменит полностью человека

  I. I. Abramov
  20-31

• Calculation of the Electric Field Strength and Current Density Inside a Thin Metal Layer, Taking into Account the Skin Effect

  E. V. Zavitaev / O. V. Rusakov / E. P. Chukhleb
  32-45

• Simulation of Supercell Defect Structure and Transfer Phenomena in TlInTe2

  M. M. Asadov / S. N. Mustafaeva / S. S. Guseinova / V. F. Lukichev
  46-57

• Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора

  V. V. Lokotko / I. S. Vasil'evskij / N. I. Kargin
  58-67

• Study of Photodetectors with Schottky Barriers Based on the IrSi–Si Contact

  E. A. Kerimov
  68-70

• Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур

  R. K. Afarov / N. O. Sabunin
  71-76

• Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO₂ в плазме CF₄/C₄F₈/Ar/He

  A. M. Efremov / K.-H. Kwon
  77-84