ОНИТМикроэлектроника Russian Microelectronics

• Контроль параметров травления кремния в вч плазме CHF₃ методом оптической эмиссионной спектроскопии

  Мурин Д. Б.
  3-10

• Электрофизические характеристики и эмиссионные спектры плазмы тетрафторметана

  Мурин Д. Б.
  11-19

• Искусственный интеллект никогда не заменит полностью человека

  Абрамов И. И.
  20-31

• Расчет напряженности электрического поля и плотности тока внутри тонкого металлического слоя с учетом скин-эффекта

  Завитаев Э. В.
  32-45

• Моделирование дефектной структуры суперъячейки и явления переноса в TlInTe₂

  Асадов М. М. / Лукичев В. Ф.
  46-57

• Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора

  Локотко В. В.
  58-67

• Исследование фотоприемников с барьерами Шоттки на основе контакта IRSI–SI

  Керимов Э. А.
  68-70

• Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур

  Яфаров Р. К.
  71-76

• Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO₂ в плазме CF₄/C₄F₈/Ar/He

  Ефремов А. М.
  77-84