Диоды с барьером Шоттки на основе контакта PtSi-Si могут использоваться в качестве детекторов для регистрации излучения в ИК — области спектра. Однако квантовая эффективность у таких приемников очень мала по сравнению с фотоприемниками на основе узкозонных полупроводников и на p-n переходах. Для увеличения квантовой эффективности Шоттки приемники изготавливаются, как будет показано ниже, в виде так называемой “оптической полости”, причем толщина PtSi не должна превышать 100 А0. С этой целью нами разработан технологический режим многослойной металлизации для получения тонких контактов PtSi-Si.
Реализация каких-либо элементов на нанометровым уровне на данном этане развития наноэлектроники возможно только при условии интеграции с технологией промышленной микроэлектроники. Ограничивающим фактором становится реализация интерфейса двух уровней технологии: нано- и микро. Вступающий в новую фазу кризис металлических межсоединений, связный с увеличением задержек в разводке, нивелирует достоинства наноструктур, обладающих баллистическим механизм проводимости [1-4]. Нанотрубки обладают проводимостью металлического или полупроводникового типа в зависимости от угла хиральности в диаметр. Соответственно первые могут выполнять роль идеальных контактов к устройствам на основе молекулярных или туннельных структур или источников излучения, тогда как вторые претендуют на роль активных элементов наноэлектроники выпрямляющие диоды, транзисторы, химические и биологические датчики.
