Везде

Методика изготовления фоточувствительных элементов на основе PtSi

Вы можете
Код статьи
S0544126924040053-1
DOI
10.31857/S0544126924040053
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Керимов Э. А.
  • Аффилиация: Азербайджанский государственный технический университет
Том/ Выпуск
Том 53 / Номер выпуска 4
Страницы
331-334
Аннотация
Диоды с барьером Шоттки на основе контакта PtSi-Si могут использоваться в качестве детекторов для регистрации излучения в ИК — области спектра. Однако квантовая эффективность у таких приемников очень мала по сравнению с фотоприемниками на основе узкозонных полупроводников и на p-n переходах. Для увеличения квантовой эффективности Шоттки приемники изготавливаются, как будет показано ниже, в виде так называемой “оптической полости”, причем толщина PtSi не должна превышать 100 А0. С этой целью нами разработан технологический режим многослойной металлизации для получения тонких контактов PtSi-Si.
Ключевые слова
Шоттки — приемники технологический режим многослойная металлизации абсолютная шкала
Дата публикации
26.07.2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
65

Библиография

  1. 1. Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. — М.: Техносфера, 2010. 336 с.
  2. 2. Шапочкин М.Б. Статистическая физика / М.Б. Шапочкин. М.: Издат. дом Моск. Физ. о-ва, 2004. 85 с.
  3. 3. Гольдаде В.А., Пинчук Л.С. Физика конденсированного состояния. Белорусская наука, 2009. 648 с.
  4. 4. Парфенов В.В. Квантово-размерные структуры в электронике: оптоэлектроника. Казань: КГУ, 2007. 16 с.
  5. 5. Фролов В.Д. Размерный эффект в работе выхода электронов / В.Д. Фролов, С.М. Пименов, В.И. Конов, Е.Н. Лубнин // Российские нанотехнологии. 2008. Т. 3. С. 102.
  6. 6. Кудрик Я.Я., Шинкаренко В.В., Слепокуров В.С., Бигун Р.И., Кудрик Р.Я. Методы определения высоты барьера Шоттки из вольт-амперных характеристик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014. вып. 49. С. 21–28.
  7. 7. Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем. — СПб.: Наука, 2001. 160 с.
QR
Перевести