By this author

Temporary changes in current flow mechanisms in erbium-doped porous silicon

Issue number 2 from 01.02.2024

В работе рассматриваются основные механизмы проводимости в кремниевых МДП-структурах. Объектом исследования выступает пористый кремний, легированный эрбиевой примесью водного раствора азотнокислого эрбия Er(NO3)3 • 5H2O методом температурного отжига в диффузионной печи при температуре 800°С в течение 1 ч. Представлены сравнительные характеристики вольт-амперных и вольт-фарадных зависимостей, описывающих закономерные изменения механизмов токопрохождения и захвата заряда в исследуемых образцах. Результаты работы качественно и количественно описывают временное изменение электрических характеристик пористого кремния, которые могут быть приняты во внимание технологами при понимании механизмов токопереноса в люминесцентных структурах пористого кремния с ионами эрбия, а также исследовании и изготовлении светоизлучательных диодов на его основе.

163 0