- Код статьи
- 10.31857/S0544126924020072-1
- DOI
- 10.31857/S0544126924020072
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 53 / Номер выпуска 2
- Страницы
- 179-186
- Аннотация
- В работе рассматриваются основные механизмы проводимости в кремниевых МДП-структурах. Объектом исследования выступает пористый кремний, легированный эрбиевой примесью водного раствора азотнокислого эрбия Er(NO3)3 • 5H2O методом температурного отжига в диффузионной печи при температуре 800°С в течение 1 ч. Представлены сравнительные характеристики вольт-амперных и вольт-фарадных зависимостей, описывающих закономерные изменения механизмов токопрохождения и захвата заряда в исследуемых образцах. Результаты работы качественно и количественно описывают временное изменение электрических характеристик пористого кремния, которые могут быть приняты во внимание технологами при понимании механизмов токопереноса в люминесцентных структурах пористого кремния с ионами эрбия, а также исследовании и изготовлении светоизлучательных диодов на его основе.
- Ключевые слова
- пористый кремний механизмы токопрохождения эффект Пулла—Френкеля эрбий вольт-амперная и вольт-фарадная характеристики
- Дата публикации
- 15.04.2024
- Год выхода
- 2024
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 139
Библиография
- 1. Lenshin A.C. Formation and functional properties of nanostructures based on porous silicon // Dissertation for the degree of Doctor of Physical and Mathematical Sciences 01.04.10 — Physics of semiconductors. Voronezh, 2020.
- 2. Canham L. Routes of Formation for Porous Silicon. Handbook of Porous Silicon. 2014. P. 3–4.
- 3. Latukhina N.V., Nechaev N.A., Khramkov V.A., Volkov A.V., Agafonov A.N. Structures with macroporous silicon for photo-converters on silicon substrate // Thin Films in Optics and Nanoelectronics. Proc. of 18 International Symposium. Kharkov. 2006. V. 2. С. 207–211.
- 4. Kimura T., Yokoi A., Horiguchi H., Saito R. Electrochemical Er doping of porous silicon and its room temperature luminescence at ~1.54 gm // Appl. Phys. Lett. 1994. No. 65. P. 983–985.
- 5. Penczek J., Chao I-Wen, Smith R.L., Knoesen A., Davis J.E. and Lee H.W. H. Visible to near-infrared emission from a porous silicon device // Proceedings of LEOS.94. Boston, MA, USA. 1994. V. 2. P. 13–14. DOI: 10.1109/LEOS.1994.586286.
- 6. Vercauteren R., Scheen G., Raskin J.-P., Francis L.A. Porous silicon membranes and their applications: Recent advances, Sensors and Actuators A: Physical. 2021. V. 318. Р. 112486. ISSN0924-4247. https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112486
- 7. Johnson C.M., Reece P.J., Conibeer G.J. Theoretical and experimental evaluation of multilayer porous silicon structures for enhanced erbium up-conversion luminescence. Optics (physics.optics), 2012. DOI: 10.48550/arXiv.1208.6046.
- 8. Karoui А., Kechiantz А. Sensitization of Porous Silicon with Germanium Quantum Dots for Up-Conversion of Low Energy Photons via Intermediate Band for Third Generation Solar Cells // ECS Transactions, IOP science. 2011. V. 41. Nо. 4. DOI: 10.1149/1.3628609.
- 9. Toledo R.P., Huanca D.R., Oliveira A.F., dos Santos Filho S.G., Salcedo W. J. Electrical and optical characterizations of erbium doped MPS/PANI heterojunctions // Applied Surface Science. 2020. V. 529. doi:10.1016/j.apsusc.2020.146994.
- 10. Karzanova M.V. Luminescence of porous silicon with rare-earth element admixtures Dissertation for the degree of Candidate of Physical and Mathematical Sciences in the field of 01.04.10 — physics of semiconductors Nizhny Novgorod, 2013.
- 11. Bondarenko V.P. et al. Luminescence of erbium-doped porous silicon // Tech. Phys. Lett. 23. 1997. Р. 3–4.
- 12. Kashkarov P.K. et al. Effective luminescence of erbium ions in silicon systems nanocrystals // OTT. 2004. T. 46. B. 1. Р. 105–109.
- 13. Yong-Gang Frank Ren. Erbium Doped Silicon as an Optoelectronic Semiconductor // Material Dissertation for the doctorate degree of Department of Materials Science and Engineering in the filed of “Electronic Materials”. Boston: Massachusetts, 1994.
- 14. Chyuan-Haur Kao, Hsiang Chen, Yu Tsung Pan, Jing Sing Chiu, Tien-Chang Lu. The characteristics of the high-K Er2O3 (erbium oxide) dielectrics deposited on polycrystalline silicon, Solid State Communications. 2012. V. 152. Iss. 6. P. 504–508. DOI: 10.1016/j.ssc. 2011.12.042.
- 15. Wu Deqi, Yao Jincheng, Zhao Hongsheng, Chang Aimin1 and Li Feng. Leakage current mechanisms of ultrathin high-k Er2O3 gate dielectric film // IOP science Journal of Semiconductors. V. 30. Nо. 10. DOI: 10.1088/1674-4926/30/10/103003.
- 16. Acha C. Graphical analysis of current-voltage characteristics in memristive interfaces // Journal of Applied Physics. 2017. V. 121. No. 13. Р. 134502. DOI: 10.1063/1.4979723.
- 17. Шалимова М. Б., Сачук Н. В. Анализ электрофизических характеристик бистабильных МДП-структур с фторидами самария и церия // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2020. Т. 23. № 1. С. 58–66. DOI: 10.18469/1810-3189.2020.23.1.58-66.
- 18. Fu-Chien Chiu. A Review on Conduction Mechanisms in Dielectric Films // Advances in Materials Science and Engineering. 2014. Article ID578168. 18 p. https://doi.org/10.1155/2014/578168
