By this author

Effect of Rapid Thermal Annealing on the Formation of Aluminum-Silicon and Aluminum-Polysilicon Ohmic Contacts in Integrated Microcircuits

Issue number 4 from 15.05.2025

Представлены результаты исследования влияния термического отжига на формирование омических контактов алюминий-кремний и алюминий-поликремний на стадии изготовления современных интегральных микросхем. Установлено, что стандартный термический отжиг при температуре 450 оС в течение 20 мин в азоте приводит как к растворению кремния в алюминиевых контактах с последующим образованием рекристаллизованных островков кремния р-типа на границе раздела алюминий-кремний, так и к растворению поликремния, с последующим выделением его в виде остроугольных конгломератов. При использовании быстрого термического отжига (Tmax = 450 оС, 7 с, N2) образование таких конгломератов не обнаружено. Растворение поликремния (кремния) в алюминии при формировании омических контактов алюминий-поликремний (алюминий-кремний) приводит к изменению величины контактного сопротивления поликремниевых резисторов и вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов.

56 0