- PII
- S0544126925030059-1
- DOI
- 10.31857/S0544126925030059
- Publication type
- Article
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 54 / Issue number 3
- Pages
- 232-240
- Abstract
- The analysis of upset occurrence in very large-scale integrated circuits (VLSI) under the influence of pulsed ionizing radiation of various nature is carried out. Upsets in VLSI under gamma or electron pulses, first of all, are determined the effects of rail span collapse, due to volume ionization of semiconductor structures. The features of upsets occurrence due to the non-stationary latching and several possible competing effects are analyzed. Non-stationary surface radiation effects and fast annealing of radiation defects can lead, mainly, to temporary parametric failures, which depend on the dose rate. Single event effects under the influence of pulsed beams of neutrons, protons or ions are considered.
- Keywords
- СБИС импульсное ионизирующее излучение функциональные параметрические и одиночные сбои
- Date of publication
- 16.09.2025
- Year of publication
- 2025
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 21
References
- 1. Larin F. Radiation Effects in Semiconductor Devices. N.Y.: John Wiley and Sons. 1968. 287 p.
- 2. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат. 1989. 256 с.
- 3. Ionizing radiation effects in MOS devices and circuits / Ed. Ma T.-P., Dressendorfer P. V. New York: John Wiley & Sons, 1989. 608 p.
- 4. Чумаков А.И. Радиационные эффекты в интегральных схемах. М.: Техносфера. 2024. 384 с.
- 5. Massengil T.L., Diehl S.E. Transient Radiation Upset Simulation of CMOS Memory Circuits//IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1984. V. 31. N6. P.1337–1343.
- 6. Чумаков А.И. Моделирование эффекта «просадки» питания в ИС при воздействии импульса ионизирующего излучения //Микроэлектроника. 2006. Т.35. №3. С.184–190.
- 7. Чумаков А.И. и др. Механизмы возникновения нестабильных тиристорных эффектов в КМОП ИС // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 4. С. 295–299.
- 8. Согоян А.В. и др. Исследование влияния амплитудно-временных характеристик импульсного воздействия на уровни отказов современных СБИС // Науч.-тех. сб. “Стойкость 2022”. 2022, с. 155–158.
- 9. Чумаков А.И., Гонтарь В.В. Прогнозирование уровней отказов и сбоев ИС при воздействии ионизирующего излучения с произвольной формой импульса// Микроэлектроника. 2004. Т. 33. № 2. С. 134–141.
- 10. Shvetsov-Shilovskiy I.I., et. al. Nonstable latchups in CMOS ICs under pulsed laser irradiation // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2020. V. 67. N. 7. P. 1540–1546.
- 11. Wrobel T.F., Evans D.C. Rapid annealing in advanced bipolar microcircuits // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1982. V. 29. № 6. P. 1721–1726.
- 12. Сливин А.Ф. и др. Сооружение станций для прикладных исследований на ускорительном комплексе NICA // Письма в журнал «Физика элементарных частиц и атомного ядра». 2022. Т. 19. № 5. С. 421–425.
- 13. Филатов Г.А. и др. Каналы и станции для прикладных исследований ускорительного комплекса NICA // Письма в журнал «Физика элементарных частиц и атомного ядра». 2023. Т. 20. № 4. С. 812–818.
- 14. Чумаков А.И., Бобровский Д.В., Соловьев С.А. Влияние импульсного характера излучения на параметры чувствительности интегральных схем к одиночным радиационным эффектам // Безопасность информационных технологий. 2024. Т. 31, № 4. С. 141–152.
- 15. Бобровский Д.В. и др. Особенности проявления одиночных радиационных эффектов в ИС при воздействии импульсных пучков ионов // ВАНТ. Серия «Физика радиационного воздействия на РЭА». 2024. № 3, с. 11–15.
- 16. Чумаков А.И. и др. Моделирование сбоев в ИС при импульсном нейтронном воздействии. Часть 3. Область средних интенсивностей // ВАНТ. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА». 2023. № 1. С. 10–15.
