- Код статьи
- S0544126925030059-1
- DOI
- 10.31857/S0544126925030059
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 54 / Номер выпуска 3
- Страницы
- 232-240
- Аннотация
- Проведен анализ возникновения сбоев в сверхбольших интегральных схемах (СБИС) при воздействии импульсного ионизирующего излучения различной природы. Воздействие гамма- или электронных импульсов приводит к сбоям из-за объемной ионизации полупроводниковых структур, которые в СБИС проявляются, в первую очередь, за счет эффектов просадки питания. Проанализированы особенности возникновения сбоев за счет нестационарного тиристорного эффекта и в случае нескольких возможных конкурирующих процессов. Нестационарные поверхностные радиационные эффекты и эффекты быстрого отжига радиационных дефектов могут приводить, в основном, к кратковременным параметрическим отказам, которые в значительной степени зависят от интенсивности излучения. Рассмотрены особенности формирования одиночных сбоев при воздействии импульсных пучков нейтронов, протонов или ионов.
- Ключевые слова
- СБИС импульсное ионизирующее излучение функциональные параметрические и одиночные сбои
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 17
Библиография
- 1. Larin F. Radiation Effects in Semiconductor Devices. N.Y.: John Wiley and Sons. 1968. 287 p.
- 2. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат. 1989. 256 с.
- 3. Ionizing radiation effects in MOS devices and circuits / Ed. Ma T.-P., Dressendorfer P. V. New York: John Wiley & Sons, 1989. 608 p.
- 4. Чумаков А.И. Радиационные эффекты в интегральных схемах. М.: Техносфера. 2024. 384 с.
- 5. Massengil T.L., Diehl S.E. Transient Radiation Upset Simulation of CMOS Memory Circuits//IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1984. V. 31. N6. P.1337–1343.
- 6. Чумаков А.И. Моделирование эффекта «просадки» питания в ИС при воздействии импульса ионизирующего излучения //Микроэлектроника. 2006. Т.35. №3. С.184–190.
- 7. Чумаков А.И. и др. Механизмы возникновения нестабильных тиристорных эффектов в КМОП ИС // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 4. С. 295–299.
- 8. Согоян А.В. и др. Исследование влияния амплитудно-временных характеристик импульсного воздействия на уровни отказов современных СБИС // Науч.-тех. сб. “Стойкость 2022”. 2022, с. 155–158.
- 9. Чумаков А.И., Гонтарь В.В. Прогнозирование уровней отказов и сбоев ИС при воздействии ионизирующего излучения с произвольной формой импульса// Микроэлектроника. 2004. Т. 33. № 2. С. 134–141.
- 10. Shvetsov-Shilovskiy I.I., et. al. Nonstable latchups in CMOS ICs under pulsed laser irradiation // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2020. V. 67. N. 7. P. 1540–1546.
- 11. Wrobel T.F., Evans D.C. Rapid annealing in advanced bipolar microcircuits // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1982. V. 29. № 6. P. 1721–1726.
- 12. Сливин А.Ф. и др. Сооружение станций для прикладных исследований на ускорительном комплексе NICA // Письма в журнал «Физика элементарных частиц и атомного ядра». 2022. Т. 19. № 5. С. 421–425.
- 13. Филатов Г.А. и др. Каналы и станции для прикладных исследований ускорительного комплекса NICA // Письма в журнал «Физика элементарных частиц и атомного ядра». 2023. Т. 20. № 4. С. 812–818.
- 14. Чумаков А.И., Бобровский Д.В., Соловьев С.А. Влияние импульсного характера излучения на параметры чувствительности интегральных схем к одиночным радиационным эффектам // Безопасность информационных технологий. 2024. Т. 31, № 4. С. 141–152.
- 15. Бобровский Д.В. и др. Особенности проявления одиночных радиационных эффектов в ИС при воздействии импульсных пучков ионов // ВАНТ. Серия «Физика радиационного воздействия на РЭА». 2024. № 3, с. 11–15.
- 16. Чумаков А.И. и др. Моделирование сбоев в ИС при импульсном нейтронном воздействии. Часть 3. Область средних интенсивностей // ВАНТ. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА». 2023. № 1. С. 10–15.
