- Код статьи
- S0544126925020048-1
- DOI
- 10.31857/S0544126925020048
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 54 / Номер выпуска 2
- Страницы
- 139-151
- Аннотация
- По мере масштабирования ИС возникает необходимость формирования дорожек с шириной менее 20 нм на нижних уровнях системы металлизации. Медь при таких размерах перестает удовлетворять требованиям к RC-задержкам и устойчивости к электромиграции. Поэтому необходимо искать альтернативные материалы на замену меди, которые будут обеспечивать более высокую устойчивость к электромиграции и более низкое сопротивлением дорожек. Наиболее перспективным кандидатом является Ru. В этом исследовании были получены тестовые структуры с дорожками из рутения. Для этого применялись такие методы создания структур, как плазмостимулированное осаждение из газовой фазы, плазмостимулированное атомно-слоевое осаждение, магнетронное распыление, электронно-лучевая литография, плазмохимическое травление. Для контроля на этапах создания и исследования получившихся структур использовалась спектроскопическая эллипсометрия, сканирующая электронная микроскопия. Электрические характеристики структур были измерены и проанализированы.
- Ключевые слова
- система металлизации межсоединения размерный эффект рутений рутениевые межсоединения
- Дата публикации
- 18.03.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 22
Библиография
- 1. Kapur P., McVittie J.P., Saraswat K.C. Technology and reliability constrained future copper interconnects. I. Resistance modeling // IEEE Transactions on Electron Devices. - 2002. - Т. 49. - № 4. - С. 590-597.
- 2. Gall D. The search for the most conductive metal for narrow interconnect lines // Journal of Applied Physics. - 2020. - Т. 127. - № 5.
- 3. Kamineni V., Raymond M., Siddiqui S., Mont F., Tsai S., Niu C., L’Herron B. IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC, AMC) // IEEE International Interconnect Technology Conference IITC. - Ieee, 2016. - С. 105.
- 4. Wen L.G., Cui Y., Kuwahara Y., Mori K., Yamashita H. Atomic layer deposition of ruthenium with TiN interface for sub 10 nm advanced interconnects beyond copper // ACS applied materials & interfaces. - 2016. - Т. 8. - № 39. - С. 26119-26125.
- 5. Fan S.S.C., Chen J.H.C., Kamineni V.K., Zhang X., Raymond M., and Labelle C. IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC) // IEEE. - 2017. - Т. 2017. - С. 1-3.
- 6. Nogami T., Patlolla R., Kelly J., Briggs B., Huang H., Demarest J., Paruchuri V. Cobalt/copper composite interconnects for line resistance reduction in both fine and wide lines // 2017 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC) - IEEE, 2017. - С. 1-3.
- 7. Wan D., Paolillo S., Rassoul N., Kotowska B.K., Blanco V., Adelmann C., Lazzarino F., Ercken M. Subtractive etch of ruthenium for sub 5nm interconnect // 2018 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC). - IEEE, 2018. - С. 10-12.
- 8. Van der Veen M.H., Heylen N., Varela Pedreira O., Ciofi I., Decoster S., Gonzalez V.Vega, Jourdan N., Struyf H., Croes K., Wilson C.J., Tőkei Zs. Damascene benchmark of Ru, Co and Cu in scaled dimensions // 2018 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC). - IEEE, 2018 - С. 172-174.
