- Код статьи
- S0544126925010088-1
- DOI
- 10.31857/S0544126925010088
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 54 / Номер выпуска 1
- Страницы
- 76-90
- Аннотация
- В данной работе представлены результаты проектирования, конструирования и испытания технологической платформы атомно-слоевого осаждения для синтеза разнообразных полупроводниковых, диэлектрических, металлизированных и барьерных тонкопленочных структур толщиной < 100 нм, применяемых в области микро- и наноэлектроники, с возможностью in situ мониторинга процессов прироста массы и толщины с точностью до 0.3 нг/см2 и 0.037 Å/цикл, соответственно. В данной технологической платформе минимизировано количество импортных комплектующих за счет использования электроники и вакуумных фитингов отечественных производителей, что в свою очередь значительно снизит стоимость установки данного типа и сделает технологию атомно-слоевого осаждения доступной для большинства научных и научно-образовательных организаций России.
- Ключевые слова
- атомно-слоевое осаждение молекулярно-слоевое осаждение молекулярное наслаивание тонкие пленки нанотехнологии вакуумное оборудование
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 15
Библиография
- 1. Robertson J., Wallace R. High-K materials and metal gates for CMOS applications // Materials Science and Engineering: R: Reports. 2015. V. 88. P. 1–41.
- 2. Choi J.H., Mao Y., Chang J.P. Development of hafnium based high-k materials – A review // Materials Science and Engineering: R: Reports. 2015. V. 72. № 6. P. 97–136.
- 3. Yeoh A., Madhavan A., Kybert N. et al. Interconnect Stack using Self-Aligned Quad and Double Patterning for 10nm High Volume Manufacturing // 2018 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC). 2018. P. 144–147.
- 4. Johnson R.W., Hultqvist. A., Bent S.F. A brief review of atomic layer deposition: from fundamentals to applications // Materials Today. 2014. V. 17. № 5. P. 236–246.
- 5. Malygin A.A., Drozd V.E., Malkov A.A., Smirnov V.M. From V. B. Aleskovskii’s “Framework” Hypothesis to the Method of Molecular Layering/Atomic Layer Deposition // Chemical Vapor Deposition. 2015. V. 21. № 10–11–12. P. 216–240.
- 6. Suntola T. Atomic Layer Epitaxy // Materials Science Reports. 1989. Vol. 4. Р. 261–312.
- 7. Кольцов С.И. Синтез твердых веществ методом молекулярного наслаивания: дис. докт.хим.наук. Ленинград. 1971. 383 с.
- 8. Кольцов С.И. Исследование степени гидратации поверхности монокристаллического кремния при различных температурах // Кольцов С.И., Дрозд В.Е., Алесковский В.Б. / Под ред. СССР ДАН. 1976. T. 229. № 5. C. 1145–1147.
- 9. Lee Y-S., Choi D-W., Shong B., Oh S., Park J-S. Low temperature atomic layer deposition of SiO2 thin films using di-isopropylaminosilane and ozone // Ceramics International. 2017. V. 43, № 2. P. 2095–2099.
- 10. Wang, X., Ghosh, S.K., Afshar-Mohajer M., Zhou H., Liu Y., Han X., Cai J., Zou M., Meng X. Atomic layer deposition of zirconium oxide thin films // Journal of Materials Research. 2020. V. 35. № 7. P. 804–812.
- 11. Gieraltowska S., Wachnicki L., Dluzewski P., Witkowski B.S., Godlewski M., Guziewicz E. Atomic Layer Deposition of HfO2 Films Using TDMAH and Water or Ammonia Water // Materials. 2023. V. 16. № 11. P. 4077.
- 12. Groner M.D., Fabreguette F.H., Elam J.W., George S.M. Low-Temperature Al2O3 Atomic Layer Deposition Chemistry of Materials. 2004. V. 16. № 4. P. 639–645.
- 13. Амашаев Р.Р., Курбанов М.М., Халилов Р.Ш. Программный комплекс для автоматизации процессов атомно-слоевого осаждения // Свидетельство о регистрации программы ЭВМ. № 2024612675 от 01.09.2024.
- 14. Wind R.A., George S.M. Quartz Crystal Microbalance Studies of Al2O3 Atomic Layer Deposition Using Trimethylaluminum and Water at 125 °C // The Journal of Physical Chemistry A. 2010. V. 114. № 3. P. 1281–1289.
- 15. Amashaev R.R., Alikhanov N.M-R., Ismailov A.M., Abdulagatov I.M. Synthesis of Ultrathin Heteroepitaxial 3C-SiC films by The Thermal Treatment of Molecular Layer Deposition Polyamide Films on Si // Journal of Vacuum Science and Technology. 2022. Vol. 40. № 5. P. 052401–052401.
- 16. Steiner J., Schultheiß J., Wang S., Wellmann P.J. Fabrication of SiC-on-Insulator (SiCOI) Layers by Chemical Vapor Deposition of 3C-SiC on Si-in-Insulator Substrates at Low Deposition Temperatures of 1120 °C // Crystals. 2023. V. 13. № 11. P. 1590.
- 17. Yao J., Li A., Liu Y., Hu Z., Li M., Yang K., Zhang J., Chen J., Zhang M., Guo Y. SiC-on-insulator based lateral power device and it’ s analytical models // Results in Physics. V. 58. 2024. P. 107477.
- 18. Li J., Zhang Q., Wang J. et al. An integrated 3C-silicon carbide-on-insulator photonic platform for nonlinear and quantum light sources // Commun Physics. 2024. V. 7. № 125.
- 19. Vinod. K.N., Zorman C.A., Mehregany M. A novel SiC on insulator technology using wafer bonding // Proceedings of International Solid State Sensors and Actuators Conference (Transducers ‘97). 1997. V. 1. P. 653–656.
- 20. Lukin D.M., Dory C., Guidry M.A. et al. 4H-silicon-carbide-on-insulator for integrated quantum and nonlinear photonics // Nature Photonics. 2020. V. 14. P. 330–334.
- 21. Амашаев Р.Р., Исубгаджиев Ш.М., Фараджев Ш.П., Бузин А.В., Ахмедова П.М., Абдулагатов И.М. Способ улучшения роста и адгезии нанопленок меди на подложках кремния с использованием технологии молекулярно-слоевого осаждения: Пат. 2800189 Российской Федерации от 21.11.2022 г.
