- Код статьи
- S0544126925010017-1
- DOI
- 10.31857/S0544126925010017
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 54 / Номер выпуска 1
- Страницы
- 3-8
- Аннотация
- В настоящей работе рассматривается метод двойной литографии с использованием антиспейсера, позволяющий сформировать структуры критических слоёв с суб-193i-литографическими размерами, выходящими за пределы одиночной экстремальной ультрафиолетовой литографии. Исследован комплекс ключевых параметров, влияющий на производительность процесса, и представлен способ оптимизации литографического процесса.
- Ключевые слова
- СВЧ-излучение ЭЦР-плазма вторая циклотронная гармоника КВЧ интерферометрия плазменный зонд
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 19
Библиография
- 1. Красников Г.Я. Возможности микроэлектронных технологий с топологическими размерами менее 5 нм // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5–1(102). С. 13–19.
- 2. Ann B. Kelleher Evolution of advanced lithography and patterning in the system technology co-optimization era of Moore’s law // Proc. SPIE PC12953, Optical and EUV Nanolithography XXXVII, PC1295302 (10 April 2024).
- 3. Mansfield E., Barnes B., Kline R., Vladar A., Obeng Y., Davydov A. International roadmap for devices and systems 2023 edition metrology, International Roadmap for Devices and Systems (IRDS™), [online], https://tsapps.nist.gov/publication/get_pdf.cfm?pub_id=956664, https://irds.ieee.org/editions/2023 (Accessed November 12, 2024);
- 4. J.G. Santaclara, Rudy Peeters, Rob van Ballegoij, Sjoerd Lok, Jan van Schoot, Paul Graeupner, Peter Kuerz, Joerg Mallmann, Greet Storms, Peter Vanoppen. The next step in Moore’s law: high-NA EUV introduction at the customer // Proc. SPIE12953, Optical and EUV Nanolithography XXXVII, 129530P (10 April 2024).
- 5. Крошилин И.С. Подходы к созданию литографа для российских предприятий в условиях импортозамещения / И.С. Крошилин, С.В. Крошилин // Информационный обмен в междисциплинарных исследованиях III. Взгляд начинающих ученых: Специальный сборник трудов Всероссийской научно-практической конференции с международным участием, Липецк, 15 ноября 2023 года. – Липецк: Липецкий государственный педагогический университет имени П.П. Семенова-Тян-Шанского, 2023. – С. 8–12.
- 6. Гущин О.П. Некоторые аспекты самосовмещенного паттернирования в иммерсионной литографии / Г.Я. Красников, О.П. Гущин, М.В. Литаврин, Е.С. Горнев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. – 2018. – № 1(169). – С. 42–53.
- 7. Тихонова Е.Д. Исследование процессного окна Fin-слоя в процессе самосовмещенного двойного паттернирования / Е. Д. Тихонова, Е. С. Горнев // Наноиндустрия. – 2024. – Т. 17, № S10–1(128). – С. 205–207.
- 8. Тихонова Е.Д. Использование материала spin-on-carbon для улучшения метода самосовмещенного двойного паттернирования / Е. Д. Тихонова, Е. С. Горнев // Наноиндустрия. – 2020. – Т. 13. – № S5–3(102). – С. 859–861.
- 9. Pattent US: US2014/0054756A1, 27.02.2014. Antispacer process and semiconductor structure generated by the antispacer process // Pattent US: US2014/0054756A1, 27.02.2014./ Michael Hyatt, Richard Housley, Anton de Villiers.
- 10. Michael Hyatt, Karen Huang, Anton DeVilliers, Mark Slezak, Zhi Liu Anti-spacer double patterning // Proc. SPIE9051, Advances in Patterning Materials and Processes XXXI, 905118 (27 March 2014).
- 11. Hassaan M., Saleem U., Singh A., Haque A.J., Wang K. Recent Advances in Positive Photoresists: Mechanisms and Fabrication. Materials 2024, 17, 2552.
- 12. Литаврин М.В. Экстракция эмпирических констант экспонирования и постэкспозиционной сушки для фоторезистов с химическим усилением / М. В. Литаврин, А. А. Шарапов, А. В. Шишлянников, Е. С. Горнев // Наноиндустрия. – 2024. – Т. 17, № S10–2(128). – С. 710–718.
- 13. Michael Murphy, Jacob Dobson, Jodi Grzeskowiak, David Power, Charlotte A. Cutler, Andrew Weloth, David Conklin Breaching high-NA EUV dimensions with 193i anti-spacer multipatterning // Proc. SPIE12957, Advances in Patterning Materials and Processes XLI, 1295711 (10 April 2024).
