Новый подход к моделированию радиационных эффектов низкой интенсивности в биполярных микросхемах

Чумаков А. И.

doi:10.31857/S0544126924020047

Главная>Номер выпуска 2>Новый подход к моделированию радиационных эффектов низкой интенсивности в биполярных микросхемах

Новый подход к моделированию радиационных эффектов низкой интенсивности в биполярных микросхемах

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Новый подход к моделированию радиационных эффектов низкой интенсивности в биполярных микросхемах

Аннотация

Код статьи

S0544126924020047-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Чумаков А. И. Связаться с автором

Аффилиация: Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ” – АО “ЭНПО СПЭЛС”

Выпуск

Том 53 Номер выпуска 2

Страницы

156-161

Аннотация

Предложена модель для объяснения эффектов низкой интенсивности при воздействии ионизирующего излучения в биполярных структурах с учетом подпорогового дефектообразования в высоколегированных кремниевых слоях. Рассмотрены варианты деградации тока базы в биполярном транзисторе с учетом одновременного действия поверхностных радиационных эффектов и структурных повреждений в приповерхностной базовой области. Выявлены условия возникновения эффектов низкой мощности поглощенной дозы в биполярных структурах. Представленные результаты анализа позволяют объяснить большинство наблюдаемых экспериментальных результатов.

Ключевые слова

биполярные ИС низкая интенсивность радиация подпороговое дефектообразование

Классификатор

Получено

31.08.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf Скачать JATS

ГОСТ	Чумаков А. Новый подход к моделированию радиационных эффектов низкой интенсивности в биполярных микросхемах // Микроэлектроника. – 2024. – T. 53. – Номер выпуска 2 C. 156-161 . URL: https://microelectronicsras.ru/s0544126924020047-1/?version_id=105554. DOI: 10.31857/S0544126924020047
MLA	Chumakov, A. I "The new approach of a simulation low dose rate radiation effects in bipolar integrated circuits." Russian Microelectronics. 53.2 (2024).:156-161. DOI: 10.31857/S0544126924020047
APA	Chumakov A. (2024). The new approach of a simulation low dose rate radiation effects in bipolar integrated circuits. Russian Microelectronics. vol. 53, no. 2, pp.156-161 DOI: 10.31857/S0544126924020047

Библиография

1. Nowlin R.N. et al. Hardness assurance and testing issues for bipolar/BiCMOS devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1993. V. 40. No. 6. P. 1686–1691.

2. Ionizing radiation effects in MOS devices and circuits / Ed. Ma T.-P., Dressendorfer P. V. New York: John Wiley & Sons, 1989. 608 p.

3. Adell P.C., Boch J. Dose and Dose-Rate Effects in Micro-Electronics: Pushing the Limits to Extreme Conditions //2014 IEEE NSREC. Short Course Notebook “Radiation Environments and Their Effects on Devices From Space to Ground”. Paris, France, 2014. p. II-1–II-102.

4. Беляков В.В. и др. Методы прогнозирования эффектов полной дозы в элементах современной микроэлектроники //Микроэлектроника. 2003. том 32. № 1. С. 31–46.

5. Першенков В.С., Скоробогатов П.К., Улимов В.Н. Дозовые эффекты в изделиях современной микроэлектроники: Учебное пособие. М.: НИЯУ МИФИ, 2011. 172 с.

6. Першенков В.С. Дозовые эффекты в изделиях микроэлектроники при воздействии ионизирующих излучений / В кн.: Радиационная стойкость изделий ЭКБ: Научное издание / под ред. А.И. Чумакова. М.: НИЯУ МИФИ, 2015. С. 93–130.

7. Pease R. L. et al. ELDRS in Bipolar Linear Circuits: A Review // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2009. V. 56. No. 4. P. 1686–1691.

8. Fleetwood D. M. et al. Physical mechanisms contributing to enhanced bipolar gain degradation at low dose rates // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994. V. 41. No. 6. P. 1871–1883.

9. Fleetwood D. M. et al. Radiation effects at low electric fields in thermal, SIMOX, and bipolar-base oxides //IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. V. 43. No. 6. P. 2537–2546.

10. Rashkeev S. N. et al. Physical model for enhanced interface-trap formation at low dose rates // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2002. V. 49. No. 6. P. 2650–2655.

11. Першенков В.С. и др. Конверсионная модель эффекта низкой интенсивности в биполярных микроэлектронных структурах при воздействии ионизирующего излучения // Микроэлектроника. 2010. Том 39. № 2. С. 102–112.

12. Чумаков А.И. Действие космической радиации на ИС. М.: Радио и связь, 2004. 320 с.

13. Вавилов В.С., Киселев В.Н., Мукашев Б.Ф. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с.

14. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. 248 с.

15. Алешина Л.А. Структура аморфных материалов и природа дефектов в них. Электронное учебное пособие. ПетрГУ, 2016.

16. Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники: Учеб. пособие. М.: Наука. Гл. ред. Физ.-мат. Лит., 1988. 182 с.

17. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. / Пер. с англ. 2-е изд., переработ. и доп. М.: МИР, 1984. 456 с.

18. Першенков В.С. и др. Расчет тока поверхностной рекомбинации в биполярных микроэлектронных структурах при воздействии ионизирующего излучения // Микроэлектроника. 2009. Том 38. № 1. С. 21–33.

Библиография

Комментарии

Войти через