Везде
Моделирование диффузии атомов в многокомпонентных полупроводниках в неупорядоченном состоянии
Оглавление
Аннотация Оценить Содержание публикации
Библиография Комментарии
Поделиться
QR
Метрика
Моделирование диффузии атомов в многокомпонентных полупроводниках в неупорядоченном состоянии
Аннотация
Код статьи
S0544126924020021-1
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Асадов С. М.  
Аффилиация:
Научно-исследовательский институт “Геотехнологические проблемы нефти, газа и химия”
Институт катализа и неорганической химии им. М.Ф. Нагиева Министерства науки и образования Азербайджана
Выпуск
Том 53 Номер выпуска 2
Страницы
132-141
Аннотация
Теория функционала плотности (DFT) с использованием обобщенного градиентного приближения (GGA) позволила оптимизировать кристаллическую структуру, рассчитать параметры решетки и зонную структуру полупроводниковых соединений TlMS₂(M = Ga, In) с моноклинной структурой (пространственная группа С2/с , № 15). DFT-расчеты структуры соединений были расширены с использованием двух обменно-корреляционных функционалов GGA-PBE и GGA + U (U — кулоновский параметр) со значением U — J = 2.1 эВ (эффективный параметр взаимодействия). Методом молекулярной динамики (МД) рассчитаны коэффициенты термодиффузии (Dα) атомов отдельных типов (α), т. е. атомов таллия, галлия, индия и серы вблизи температуры плавления соединения TlMS₂. Значения Dα атомов TlMS₂ получены в приближении локальной нейтральности с использованием канонического ансамбля NVT MD. Значения Dα атомов были скорректированы с учетом среднеквадратичных смещений атомов при заданных времени и температуре. Построены зависимости атомов Dα =f(1 / T), описываемые законом Аррениуса. Рассчитана энергия активации диффузии атомов.
Ключевые слова
полупроводниковые тройные соединения слоистая структура TlGaS₂ и TlInS₂ DFT GGA молекулярная динамика канонический ансамбль NVT MD коэффициент диффузии жидкое состояние
Классификатор
Получено
31.08.2024
Всего подписок
0
Всего просмотров
19
Оценка читателей
0.0 (0 голосов)
Цитировать   Скачать pdf

Библиография

1. Allen M.P., Tildesley D.J. Computer Simulation of Liquids (2nd edn). Oxford University Press. UK 626, 2017. ISBN: 9780198803195.

2. Cicek Z., Yakut S., Deger D., Bozoglu D., Mustafaeva S. Thickness dependence of dielectric properties of TlGaS2 thin films // Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. V. 166. P. 107733. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107733

3. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Guseinova S.S., Dzhabarov A.I., Lukichev V.F. Electronic, dielectric properties and charge transfer in a TlGaS2: Nd3+ single crystal at direct and alternating current // Physics of the Solid State. 2022. V. 64. № 4. P. 426–433. https://doi.org/10.21883/PSS.2022.04.53497.251

4. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Huseynova S.S., Hasanov N.Z., Lukichev V.F. Ab initio calculations of electronic properties, frequency dispersion of dielectric coefficients and the edge of the optical absorption of TlInS2: Sn single crystals // Physics of the Solid State. 2022. V. 64. № 6. P. 617–627. https://doi.org/10.21883/PSS.2022.06.53823.299

5. Asadov S.M., Mustafaeva S.N., Lukichev V.F. Modifying the Dielectric Properties of the TlGaS2 Single Crystal by Electron Irradiation // Russian Microelectronics. 2020. V. 49. № 4. P. 263–268. https://doi.org/10.1134/S1063739720040022

6. Nemerenco L., Syrbu N.N., Dorogan V., Bejan N.P., Zalamai V.V. Optical spectra of TlGaS2 crystals // Journal of Luminescence. 2016. V. 172. P. 111–117. https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2015.12.001

7. Hussein S.A., Bahabri F.S., Al-Orainy R.H., Shoker F., Al-Gohtany S.A., Al-Garni S.E. Thermoelectric Characterization of Thallium Gallium Disulphide, TlGaS2 // Journal of King Abdulaziz University. Sci. 2013. V. 25. № 1. P. 3–14. https://doi.org/10.4197/Sci.25-1.1

8. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Kyazimov S.B., Gasanov N.Z. T-x phase diagram of the TlGaS2-TlFeS2 system and band gap of TlGa1–xFexS2(0 ≤ x ≤ 0.01) single crystals // Inorganic Materials. 2012. V. 48. № 10. P. 984–986. https://doi.org/10.1134/s0020168512090117

9. Delgado G.E., Mora A.J., Pérez F.V., González J. Crystal structure of the ternary semiconductor compound thallium gallium sulfide, TlGaS2 // Physica B. 2007. V. 391. № 2. P. 385–388. https://doi.org/10.1016/j.physb.2006.10.030

10. Kashida S., Yanadori Y., Otaki Y., Seki Y., Panich A.M. Electronic structure of ternary thallium chalcogenide compounds // Physica status solidi. (a). 2006. V. 203. № 11. P. 2666–2669. https://doi.org/10.1002/pssa.200669598

11. Ashraf I.M. Photophysical Properties of TlGaS2 Layered Single Crystals // The Journal of Physical Chemistry. B. 2004. V. 108. № 30. P. 10765–10769. https://doi.org/10.1021/jp0311411

12. Allakhverdiev K.R. Two-photon absorption in layered TlGaSe2, TlInS2, TlGaS2 and GaSe crystals // Solid State Communications. 1999. V. 111. № 5. P. 253–257. https://doi.org/10.1016/s0038-1098 (99)00202-1

13. Qasrawi A.F., Gasanly N.M. Optoelectronic and electrical properties of TlGaS2 single crystal // Physica status solidi. (a). 2005. V. 202. № 13. P. 2501–2507. https://doi.org/10.1002/pssa.200521190

14. Yuksek N.S., Gasanly N.M., Aydinli A., Ozkan H., Acikgoz M. Infrared photoluminescence from TlGaS2 layered single crystals // Crystal Research and Technology. 2004. V. 39. № 9. P. 800–806. https://doi.org/10.1002/crat.200310256

15. Asadov S.M., Mustafaeva S.N., Huseynova S.S. Simulation of the growth of a TlInS2 single crystal, DFT calculation of electronic properties, and ac conductivity of samples // Fizika. 2023. Section C. P. 47–52.

16. Asadov S.M. Molecular Dynamics Modeling of a Ternary Semiconductor Compound in A Liquid State // The Journal of Physical Chemistry. 2023. V. 1. № 1. P. 01–08. https://cskscientificpress.com

17. Roccatano D. A Short Introduction to the Molecular Dynamics Simulation of Nanomaterials. In book: M.J. Jackson, W. Ahmed (eds.) Micro and Nanomanufacturing. Volume II. Chapter 6. Springer International Publishing AG. 2018. P. 123–154. https://doi.org/10.1007/978-3-319-67132-1_6

18. Lammps. http://lammps.sandia.gov/. LAMMPS Molecular Dynamics Simulator.

19. Verlet L. Computer “Experiments” on Classical Fluids. I. Thermodynamical Properties of Lennard—Jones Molecules // Physical Review. 1967. V. 159. P. 98–103. https://doi.org/10.1103/PhysRev.159.98

20. Görling A. Exchange-correlation potentials with proper discontinuities for physically meaningful kohn-sham eigenvalues and band structures // Physical Review. B. 2015. V. 91. P. 245120-10. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.91.245120

21. Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. Generalized gradient approximation made simple // Physical Review Letters. 1996. V. 77. № 18. P. 3865–3868. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.77.3865

22. Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. Erratum: generalized gradient approximation made simple // [Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. P. 3865]. Physical Review Letters. 1997. V. 78. № 7. P. 1396–1396. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.78.1396

23. Asadov M.M., Mustafaeva S.N., Guseinova S.S., Lukichev V.F. Ab initio calculations of electronic properties and charge transfer in Zn1–xCuxO with wurtzite structure // Physics of the Solid State. 2022. V. 64. № 5. P. 526–533. https://doi.org/10.21883/PSS.2022.05.54011.27

24. Plimpton S. Fast Parallel Algorithms for Short-Range Molecular Dynamics // Journal of Computational Physics. 1995. V. 117. № 1. P. 1–19. https://doi.org/10.1006/jcph.1995.1039

Комментарии

Сообщения не найдены

Написать отзыв
Перевести