Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In0.53Ga0.47As после нейтронного воздействия

Голиков О. Л.

doi:10.31857/S0544126924010017

Главная>Номер выпуска 1>Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In 0.53 Ga 0.47 As после нейтронного воздействия

Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In0.53Ga0.47As после нейтронного воздействия

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In0.53Ga0.47As после нейтронного воздействия

Аннотация

Код статьи

S0544126924010017-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Голиков О. Л. Связаться с автором

Аффилиация: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Выпуск

Том 53 Номер выпуска 1

Страницы

3-7

Аннотация

В работе приведены результаты исследований вольт-фарадных характеристик GaAs/In_0.53Ga_0.47As HEMT до и после нейтронного облучения флюенсом (6.3 ± 1.3) × 10¹⁴ у. е. На основании экспериментально полученных характеристик проведены расчеты эффективных профилей распределения электронов исследуемой структуры до и после облучения. Проведен анализ влияния радиационных дефектов на δ-слои исследуемой структуры.

Ключевые слова

AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT нейтронное воздействие эффективный профиль концентрации

Источник финансирования

Работа профинансирована Министерством науки и высшего образования РФ в рамках государственного задания Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (FSWR-2021–011)

Классификатор

Получено

16.07.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Голиков О. Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In_0.53Ga_0.47As после нейтронного воздействия // Микроэлектроника. – 2024. – T. 53. – Номер выпуска 1 C. 3-7 . URL: https://microelectronicsras.ru/s0544126924010017-1/?version_id=105540. DOI: 10.31857/S0544126924010017
MLA	Golikov, O. L "Analysis of Nonlinear Distortions of Dphemt Structures Based on a GaAs/InGaAs Compound with Double-Sided Delta-Doping." Russian Microelectronics. 53.1 (2024).:3-7. DOI: 10.31857/S0544126924010017
APA	Golikov O. (2024). Analysis of Nonlinear Distortions of Dphemt Structures Based on a GaAs/InGaAs Compound with Double-Sided Delta-Doping. Russian Microelectronics. vol. 53, no. 1, pp.3-7 DOI: 10.31857/S0544126924010017

Библиография

1. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат, 1989. 256 с.

2. Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л., Иванов А.Б., Пузанов А.С. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~100 нм // Физика и техника полупроводников. Т. 54. № 9. С. 968–973.

3. Петровская А.Н., Зубков В.И. Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 K // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. № 10. С. 1368–1373.

4. Фролов Д.С., Яковлев Г.Е., Зубков В.И. Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 2. С. 281–286.

5. Енишерлова К.Л., Колковский Ю.В., Бобров Е.А., Темпер Э.М., Капилин С.А. Влияние дефектов с глубокими уровнями на C–V-характеристики мощных AlGaN/GaN/SiC HEMT // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 1. С. 47–55.

6. Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Тихов С.В., Байдусь Н.В. Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с delta-легированными слоями // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 1. С. 53–57.

7. Яковлев Г.Е., Дорохин М.В., Зубков В.И., Дудин А.Л. и др. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 8. С. 873–880.

8. Солтанович О.А., Якимов Е.Б. Анализ температурных зависимостей вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 12. С. 1597–1603.

9. Lei W., Offer M., Lorke A. et al. Probing the band structure of InAs/GaAs quantum dots by capacitance-voltage and photoluminescence spectroscopy // APPLIED PHYSICS LETTERS. 2008. V. 92. P. 193111-1–193111-3.

10. Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В. и др. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT-структур и полевых транзисторов // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 12. С. 1599–1604.

11. Brounkov P.N., Benyattou T., Guillotb G. Simulation of the capacitance-voltage characteristics of a single‐quantum‐well structure based on the self‐consistent solution of the Schrödinger and Poisson equations // J. Appl. Phys. 80 (2), 15 July 1996.

12. Оболенский С.В., Волкова Е.В., Логинов А.Б. и др. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия // Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 5. С. 38–41.

13. Вентцель Е.С. Теория вероятностей. М.: Наука, 1969. 576 с.

14. Кривулин Д.О., Пашенькин И.Ю., Горев Р.В., Юнин П.А., Сапожников M.В., Грунин А.В., Захарова С.А., Леонтьев В.Н. Влияние радиационного воздействия на магнитные свойства пленок ферромагнетик/IrMn с обменным сдвигом // Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 93. № 7. С. 907–912.

Библиография

Комментарии

Войти через