By this author

Surface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates

Issue number 3 from 01.03.2023

Сообщается о получении сверхрешeток с псевдоморфно напряжeнными квантовыми ямами {I-n_хGa_1–хAs/GaAs}, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией поверхности (100), (110) и (111)A. Качество кристаллической структуры эпитаксиальных образцов оценивается с помощью атомно-силовой микроскопии их поверхности. Сообщается о проявлении пьезоэлектрического поля в спектрах фотолюминесценции.

55 0