By this author

NANOSTRUCTURED RUTHENIUM ETCHING IN THREE-COMPONENT Cl/O/Ar PLASMA

Issue number 3 from 10.01.2026

С использованием спектрального и зондовых методов диагностики радикального состава и электронной компоненты удаленной плазмы ВЧИ разряда в смеси 50 % Ar/Cl/O проведены исследования низкоэнергетического (E ~80 эВ) травления пленки Ru нанометровой толщины в зависимости от давления, ВЧ мощности и относительного содержания Cl/O. При 10−30–процентном содержании хлора в плазме наблюдался широкий максимум скорости травления Ru. В плазме такого состава с использованием массива наноконусов аморфного кремния в качестве маски получены вертикальные наностолбчатые структуры Ru высотой 35 нм с расстоянием между ними 10−20 нм. Обсуждается механизм травления Ru в плазме 50 % Ar/Cl/O.

37 0