С использованием спектрального и зондовых методов диагностики радикального состава и электронной компоненты удаленной плазмы ВЧИ разряда в смеси 50 % Ar/Cl/O проведены исследования низкоэнергетического (E ~80 эВ) травления пленки Ru нанометровой толщины в зависимости от давления, ВЧ мощности и относительного содержания Cl/O. При 10−30–процентном содержании хлора в плазме наблюдался широкий максимум скорости травления Ru. В плазме такого состава с использованием массива наноконусов аморфного кремния в качестве маски получены вертикальные наностолбчатые структуры Ru высотой 35 нм с расстоянием между ними 10−20 нм. Обсуждается механизм травления Ru в плазме 50 % Ar/Cl/O.
Приведена технология самосборки трехмерных мезоструктур кубической формы, основанная на ионно-плазменном воздействии на определенные локальные области плоских заготовок, сформированных из пленок Cr и Cr/SiO2. Движущей силой самосборки является градиент напряжений, возникающий в хроме при ионной бомбардировке в плазме Ar BЧ-индукционного разряда. Складывание заготовки в трехмерную структуру происходит при вывешивании элементов заготовки в результате стравливания нижележащего кремния.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации