By this author

Temperature dependences of the breakdown voltage of a high-voltage LDMOS transistor

Issue number 5 from 01.05.2024

Обсуждаются результаты исследования температурных зависимостей напряжения пробоя мощных КНИ nLDMOS транзисторов с длинной областью дрейфа с топологическими нормами 0.5 микрон. Основное внимание сфокусировано на влиянии механизма генерации и пассивации ловушек на границе раздела Si/SiO₂ в сильных электрических полях. Экспериментально и теоретически проанализирована зависимость напряжения пробоя в диапазоне температуры окружающей среды от -60^о С до 300^о С и определен диапазон температур от 25° С до 220° С, где напряжение пробоя практически постоянно. Рассмотрена возможность восстановления уровня напряжения пробоя после длительного периода покоя, что является предпосылкой для продления срока эксплуатации устройства.

173 0

TEMPERATURE CHARACTERISTICS OF A SIMPLE CURRENT MIRROR ON SILICON HIGH-VOLTAGE nLDMOS WITH A LARGE DRIFT AREA

Issue number 3 from 11.01.2026

Обсуждаются результаты исследования температурных характеристик простого токового зеркала на высоковольтных КНИ nLDMOS транзисторах с большой областью дрейфа с топологическими нормами 0.5 мк в расширенном диапазоне внешних температур. Экспериментально исследованы характеристики простого токового зеркала при температурах –60, 25, 125 °C. Разработана математическая модель высоковольтного КНИ nLDMOS транзистора с большой DRIFT областью для статического режима в области высоких стоковых напряжений и широкого диапазона окружающей температуры. Из результатов экспериментальных и численных исследований установлен температурный диапазон, в котором передаточная характеристика токового зеркала сохраняет линейность. Он составляет 300 °C от –110 до 190 °C в диапазоне управляющих напряжений от 25 до 55 В. В этом же диапазоне температур коэффициент передачи (зеркальности) линейно зависит от уровня входного тока. На основании полученных данных сформулированы условия определения SOA простого токового зеркала на КНИ LDMOS транзисторах.

47 0