Статьи автора

Влияние граничных условий на квантовый магнетотранспорт в тонкой пленке

Номер выпуска 4 от 01.04.2023

Получены аналитические выражения для коэффициентов Холла и магнетосопротивления тонкой полупроводниковой пленки. Рассматривается случай слабого магнитного поля и эффекты, связанные с расщеплением энергетического спектра носителей заряда на уровни Ландау, не учитываются. Изоэнергетическая поверхность материала полупроводника является эллипсоид вращения (сфероид). Выполнен переход к предельным случаям вырожденного и невырожденного электронных газов, зеркальных границ. Поведение носителей заряда описывается квантовым уравнением Лиувилля. Влияние поверхностного рассеяния носителей заряда учитывается через граничные условия Соффера. Проведен анализ зависимости коэффициентов Холла и магнетосопротивления от толщины пленки, индукции внешнего магнитного поля, шероховатости поверхности пленки.

75 0

Квантовый транспорт носителей заряда в треугольной яме с учётом поверхностного рассеяния

Номер выпуска 1 от 01.01.2025

Решена задача об электропроводности проводящего канала на границе гетероперехода или в МДП транзисторе с учетом квантовой теории процессов переноса. Толщина слоя может быть сравнима и меньше длины волны де Бройля носителей заряда. Поведение носителей заряда описывается квантовым уравнением Лиувилля. Влияние поверхностного рассеяния носителей заряда учитывается через граничные условия Соффера. Получено выражение для электропроводности и проведён его анализ зависимости от напряжённости поперечного электрического поля и параметра шероховатости границы проводящего канала с другим полупроводником. Проведён сравнительный анализ теоретических расчётов с экспериментальными данными.

47 0