By this author

Simulation of vertical ballistic quantum-barrier field-effect transistor based on undoped AlxGa1–xAs quantum nanowire

Issue number 6 from 16.09.2025

Предложено конструктивно-топологическое решение и проведено моделирование туннельного полевого транзистора нового типа. Прибор представляет собой вертикальный баллистический полевой транзистор на основе находящейся в матрице Al₂O₃ цилиндрической нелегированной Al_xGa_1–xAs квантовой нанопроволоки с цилиндрическим металлическим затвором. Для заданной геометрии приборной структуры найдено оптимальное значение меняющейся вдоль канала транзистора доли алюминия в составе полупроводника, при котором в отличие от обычного туннельного полевого транзистора обеспечивается не только полное снятие квантового барьера для электронов положительным затворным напряжением, но и минимально возможное электрическое сопротивление канала транзистора. Рассчитаны вольт-амперные характеристики транзистора в рамках строгого квантово-механического описания электронного транспорта в его канале с учетом непараболичности зонной структуры полупроводника.

15 0