Рассмотрены варианты структур свободновисящих пленок с высоким коэффициентом пропускания на длине волны 13.5 нм, которые разрабатывались для использования в установках проекционной экстремальной ультрафиолетовой (ЭУФ) литографии в качестве защитных и фильтрующих элементов. Основное внимание уделено наиболее проблемным с точки зрения изготовления и требований, предъявляемых к их характеристикам, сверхтонким свободновисящим пленкам (пелликлам), устанавливающимся перед маской (фотошаблоном) в современных ЭУФ сканерах и служащим для защиты поверхности маски от попадания загрязнений. Проведено сравнение основных подходов, которые используются при изготовлении сверхтонких свободновисящих пленок большой апертуры. Дан краткий обзор исследований, посвященных разработке пелликлов с высоким коэффициентом пропускания на длине волны 11.2 нм, которая может стать рабочей длиной волны для будущей ЭУФ литографии.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation