Эта обзорная статья посвящена структуре тонких пленок нитрида титана, сформированных методом магнетронного распыления. Рассмотрена модель роста пленок в зависимости от температуры осаждения и потока азота. Проведено сравнение модели с экспериментальными результатами. Описано влияние отжигов на структуру пленок магнетронного нитрида титана.
Эта обзорная статья посвящена оксидным мемристорам для резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM). Рассмотрены возможные практические реализации ReRAM и проблема утечек через соседние элементы в ReRAM. Кратко описаны основные типы резистивного переключения в мемристорах, а также разобраны основные механизмы резистивного переключения. Также описаны основные характеристики мемристоров, необходимые для ReRAM. Разобраны некоторые мемристорные структуры на основе оксидов титана, кремния, тантала, гафния, а также многослойные оксидные структуры. Выделены текущие проблемы при создании ReRAM.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation