By this author

MULTILEVEL SWITCHINGS IN MEMRISTIVE STRUCTURES BASED ON OXIDIZED LEAD SELENIDE

Issue number 2 from 20.03.2025

Используя оксидированный селенид свинца как интерфейс, были сделаны гетероструктуры Ag/PbSeO/PbSe, демонстрирующие стабильные мемристивные характеристики. С целью получения метастабильных многоуровневых состояний на таких структурах были выполнены исследования при разных протоколах подачи импульсных сигналов. Регулируя число, амплитуду, длительность и коэффициент заполнения импульсов, было реализовано 13 метастабильных резистивных состояний Исследуемый мемристор показал хорошую стабильность и воспроизводимость в течение нескольких месяцев.

12 0

Multilevel Memristive Structures Based on YBa2Cu3O7–δ Epitaxial Films

Issue number 4 from 16.09.2025

Представлены импульсные исследования переходных процессов в эффекте резистивных переключениях в планарных гетероконтактах на основе сильно коррелированных электронных систем на примере мемристивных переходов на основе YBa₂Cu₃O_{7 – d}. Показано, что процесс переключений асимметричен относительно переключения в низкорезистивные и высокорезистивные метастабильные состояния, времена переключений регулируются уровнем напряжения и могут быть меньше микросекунд, с другой стороны релаксационные процессы достигают десятка секунд. Возможность регулировать времена переключений характеризуют пластичность этих устройств в качестве элементов памяти для нейроморфных приложений в спайковых нейросетях.

19 0