Решена задача об электропроводности проводящего канала на границе гетероперехода или в МДП транзисторе с учетом квантовой теории процессов переноса. Толщина слоя может быть сравнима и меньше длины волны де Бройля носителей заряда. Поведение носителей заряда описывается квантовым уравнением Лиувилля. Влияние поверхностного рассеяния носителей заряда учитывается через граничные условия Соффера. Получено выражение для электропроводности и проведён его анализ зависимости от напряжённости поперечного электрического поля и параметра шероховатости границы проводящего канала с другим полупроводником. Проведён сравнительный анализ теоретических расчётов с экспериментальными данными.
Решена задача об электропроводности проводящего канала на границе гетероперехода или в МДП транзисторе с учетом квантовой теории процессов переноса. Толщина слоя может быть сравнима и меньше длины волны де Бройля носителей заряда. Поведение носителей заряда описывается квантовым уравнением Лиувилля. Влияние поверхностного рассеяния носителей заряда учитывается через граничные условия Соффера. Получено выражение для электропроводности и проведён его анализ зависимости от напряжённости поперечного электрического поля и параметра шероховатости границы проводящего канала с другим полупроводником. Проведён сравнительный анализ теоретических расчётов с экспериментальными данными.
Получено выражение для электропроводности тонкой поликристаллической плёнки. Для решения задачи используется кинетическое уравнение в приближении времени релаксации с учётом рассеяния электронов на границах кристаллитов поликристаллической плёнки. Влияние поверхностного рассеяния носителей заряда описывается диффузно-зеркальными граничными условиями Фукса. Рассмотрены предельные случаи вырожденного и невырожденного электронного газа. Проведен анализ зависимости электропроводности от интенсивности рассеяния на границе кристаллитов и от длины электромагнитной волны внутри плёнки. Проведено сравнение полученных результатов с известными экспериментальными данными для слоя кремния.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation