By this author

Calculation of distributions of electron beam energy absorbed in PMMA and Si using various scattering models

from 01.01.2025

В данной работе описывается моделирование рассеяния электронного пучка в полиметилметакрилате (ПММА) и кремнии (Si) методом Монте-Карло с использованием различных моделей рассеяния. Для каждого вещества при моделировании использовались три различные комбинации моделей упругого и неупругого рассеяния из числа наиболее распространенных, как с учетом генерации вторичных электронов, так и без него. В результате моделирования были получены распределения поглощенной энергии и распределения актов рассеяния по координате, анализ которых позволил выявить характерные особенности различных моделей рассеяния.

102 0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF RUTHENIUM LINES WITH A CROSS-SECTIONAL AREA LESS THAN 1000 nm

from 01.02.2025

По мере масштабирования ИС возникает необходимость формирования дорожек с шириной менее 20 нм на нижних уровнях системы металлизации. Медь при таких размерах перестает удовлетворять требованиям к RC-задержкам и устойчивости к электромиграции. Поэтому необходимо искать альтернативные материалы на замену меди, которые будут обеспечивать более высокую устойчивость к электромиграции и более низкое сопротивлением дорожек. Наиболее перспективным кандидатом является Ru. В этом исследовании были получены тестовые структуры с дорожками из рутения. Для этого применялись такие методы создания структур, как плазмостимулированное осаждение из газовой фазы, плазмостимулированное атомно-слоевое осаждение, магнетронное распыление, электронно-лучевая литография, плазмохимическое травление. Для контроля на этапах создания и исследования получившихся структур использовалась спектроскопическая эллипсометрия, сканирующая электронная микроскопия. Электрические характеристики структур были измерены и проанализированы.

92 0

FERROELECTRIC TRANSISTORS: OPERATING PRINCIPLES, MATERIALS, APPLICATIONS

from 01.02.2025

Приложения, связанные с применением искусственного интеллекта (ИИ) и интернета вещей, требуют высокопроизводительных вычислительных систем. Современные цифровые нейроморфные сопроцессоры, которые изготавливаются по КМОП-технологии, неэффективны при выполнении нейросетевых алгоритмов, из-за ограничений архитектуры фон-Неймана. Перспективное направление для исследований - интегральные схемы на основе энергонезависимых сегнетоэлектрических транзисторов. В работе приведен обзор исследований, посвященных сегнетоэлектрическим материалам, характеристикам сегнетоэлектрических транзисторов и методам их исследования.

84 0

Neuromorphic Systems: Devices, Architecture, and Algorithms

Issue number 5 from 01.09.2023

Применение структуры и принципов работы человеческого мозга открывает большие возможности для создания искусственных систем на основе кремниевой технологии. Энергоэффективность и производительность биоподобной архитектуры могут оказаться существенно выше по сравнению с традиционной архитектурой фон Неймана. В данной работе представлен обзор наиболее перспективных архитектур ANN, SNN для биоподобных систем, называемых нейроморфными системами. Рассматриваются приборы для биоподобных систем, такие как мемристоры и сегнетоэлектрические транзисторы, для использования в качестве искусственных синапсов, определяющих возможность создания различных архитектур нейроморфных систем; методы и правила обучения структур для корректной работы при имитации биологических правил обучения, таких как долговременная синаптическая пластичность. Обсуждаются проблемы, препятствующие реализации биоподобных систем, а также примеры архитектур, практически реализованных в настоящее время.

62 0

Calculation of distributions of electron beam energy absorbed in PMMA and Si using various scattering models

Issue number 1 from 05.11.2025

В данной работе описывается моделирование рассеяния электронного пучка в полиметилметакрилате (ПММА) и кремнии (Si) методом Монте-Карло с использованием различных моделей рассеяния. Для каждого вещества при моделировании использовались три различные комбинации моделей упругого и неупругого рассеяния из числа наиболее распространенных, как с учетом генерации вторичных электронов, так и без него. В результате моделирования были получены распределения поглощенной энергии и распределения актов рассеяния по координате, анализ которых позволил выявить характерные особенности различных моделей рассеяния.

9 0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF RUTHENIUM LINES WITH A CROSS-SECTIONAL AREA LESS THAN 1000 nm

Issue number 2 from 18.03.2025

По мере масштабирования ИС возникает необходимость формирования дорожек с шириной менее 20 нм на нижних уровнях системы металлизации. Медь при таких размерах перестает удовлетворять требованиям к RC-задержкам и устойчивости к электромиграции. Поэтому необходимо искать альтернативные материалы на замену меди, которые будут обеспечивать более высокую устойчивость к электромиграции и более низкое сопротивлением дорожек. Наиболее перспективным кандидатом является Ru. В этом исследовании были получены тестовые структуры с дорожками из рутения. Для этого применялись такие методы создания структур, как плазмостимулированное осаждение из газовой фазы, плазмостимулированное атомно-слоевое осаждение, магнетронное распыление, электронно-лучевая литография, плазмохимическое травление. Для контроля на этапах создания и исследования получившихся структур использовалась спектроскопическая эллипсометрия, сканирующая электронная микроскопия. Электрические характеристики структур были измерены и проанализированы.

8 0

FERROELECTRIC TRANSISTORS: OPERATING PRINCIPLES, MATERIALS, APPLICATIONS

Issue number 2 from 20.03.2025

Приложения, связанные с применением искусственного интеллекта (ИИ) и интернета вещей, требуют высокопроизводительных вычислительных систем. Современные цифровые нейроморфные сопроцессоры, которые изготавливаются по КМОП-технологии, неэффективны при выполнении нейросетевых алгоритмов, из-за ограничений архитектуры фон-Неймана. Перспективное направление для исследований - интегральные схемы на основе энергонезависимых сегнетоэлектрических транзисторов. В работе приведен обзор исследований, посвященных сегнетоэлектрическим материалам, характеристикам сегнетоэлектрических транзисторов и методам их исследования.

8 0