Статьи автора

<i>III</i>-нитридные hemt гетероструктуры с ультратонким барьером <i>AlN</i>: получение и экспериментальное применение

Номер выпуска 6 от 01.06.2024

Методом МЛЭ с плазменной активацией азота получены III-нитридные HEMT гетероструктуры, содержащие ультратонкий барьер AlN. Исследовано влияние режимов нуклеации и роста буферного слоя на кристаллическое качество, морфологию поверхности и электрофизические свойства экспериментальных ГС. Слоевое сопротивление оптимизированной ГС составило менее 230 Ом/□. Изготовлены тестовые СВЧ транзисторы с затвором Шоттки. Предложена параметрическая модель HEMT на основе AlN/GaN ГС.

144 0