Исследовано влияние ширины квантового барьера в виде туннельно тонкого обедненного носителями заряда углеродного слоя в обогащенной некристаллической углеродной матрице на бездиссипативный транспорт и полевую эмиссию электронов. Показано, что нелинейности поперечных тока в гетероструктурах при статических низкополевых электрических воздействиях и параметров вольт-амперных характеристик полевой эмиссии электронов в сильных импульсных электрических полях микросекундной длительности определяются параметрами квантового барьера и реализацией условий резонансного туннелирования с участием различных нулевых уровней энергии размерного квантования.
Приведены результаты электрических при комнатной температуре и автоэмиссионных измерений низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур с различным электронным обогащением слоев. Установлено, что с уменьшением толщины обедненного электронами углеродного слоя до величины сравнимой с длиной волны де Бройля за счет размерного квантования увеличивается прозрачность потенциальных барьеров, которые приводят к усилению выпрямляющих свойств низкоразмерных углеродных гетероструктур и, более чем на порядок увеличивают максимальные полевые токи катодных матриц на их основе.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation