By this author

New concept for the development of high-performance X-ray lithography

Issue number 5 from 16.09.2025

Дается краткий обзор современного состояния экстремальной ультрафиолетовой (ЭУФ, EUV в англоязычной транскрипции), или, что тоже, рентгеновской литографии на длине волны 13.5 нм в мире. Обсуждаются проблемы и перспективы развития этой технологии на ближайшие годы. Сообщается о новой концепции рентгеновской литографии в России, развиваемой в Институте физики микроструктур РАН. Приводится обоснование преимуществ и перспектив реализуемости литографии на новойдля литографии длине волны 11.2 нм. Дается краткий обзор отечественного уровня развития критических технологий, необходимых для создания рентгеновского литографа.

136 0