Methodology of Production of Photo-Sensitive Elements on Ptsi Basis

Issue number 4 from 16.09.2025

Диоды с барьером Шоттки на основе контакта PtSi-Si могут использоваться в качестве детекторов для регистрации излучения в ИК — области спектра. Однако квантовая эффективность у таких приемников очень мала по сравнению с фотоприемниками на основе узкозонных полупроводников и на p-n переходах. Для увеличения квантовой эффективности Шоттки приемники изготавливаются, как будет показано ниже, в виде так называемой “оптической полости”, причем толщина PtSi не должна превышать 100 А⁰. С этой целью нами разработан технологический режим многослойной металлизации для получения тонких контактов PtSi-Si.

96 0

Conductivity Study of Carbon Nanotubes Deposited on Iridium Silicon-Silicide Substrate

Issue number 6 from 16.09.2025

Реализация каких-либо элементов на нанометровым уровне на данном этане развития наноэлектроники возможно только при условии интеграции с технологией промышленной микроэлектроники. Ограничивающим фактором становится реализация интерфейса двух уровней технологии: нано- и микро. Вступающий в новую фазу кризис металлических межсоединений, связный с увеличением задержек в разводке, нивелирует достоинства наноструктур, обладающих баллистическим механизм проводимости [1-4]. Нанотрубки обладают проводимостью металлического или полупроводникового типа в зависимости от угла хиральности в диаметр. Соответственно первые могут выполнять роль идеальных контактов к устройствам на основе молекулярных или туннельных структур или источников излучения, тогда как вторые претендуют на роль активных элементов наноэлектроники выпрямляющие диоды, транзисторы, химические и биологические датчики.

96 0

Study of Photodetectors with Schottky Barriers Based on the IrSi–Si Contact

Issue number 1 from 16.09.2025

Существенное увеличение коэффициента заполнения Шоттки-матриц достигается считыванием заряда, накопленного в Шоттки-диоде, не с помощью ПЗС (приборы с зарядовой связью) – регистров, а путем его инжекции в сигнальную шину, аналогично ПЗИ (приборы с зарядовой инжекцией) – структурам на узкозонных полупроводниках. В этом случае многоэлементная матрица содержит горизонтальные шины для опроса элементов выбранной строки, вертикальные сигнальные шины, МОП (метал–оксид–полупроводник) – ключ для подключения опрашиваемого столбца и матрицы фоточувствительных элементов, каждый из который состоит из фоточувствительного Шоттки диода и МОП-ключа.

18 0

Investigation of the Optical Properties of Ultrathin Films Based on Metal Silicide

Issue number 2 from 16.09.2025

При исследовании оптических свойств тонких пленок для получения достоверных сведений о величине их оптических постоянных необходимо точно измерят толщины металла. Измерение толщины 600 < d < 1500 А⁰ проводились методом многолучевой интерферометрии и резонансно-частотным методом.

17 0