Рассмотрены фундаментальные свойства фосфида индия, легированного теллуром и впоследствии компенсированным медью. Представлены данные о существовании 4-х качественных картин эмпирических спектров фотопроводимости InP: Cu в собственной области. Указаны работы с полуэмпирической аппроксимацией фотопроводимости очувствленных образцов InP: Cu. Отмечено, что фотопроводимость IФ(α(ћω)) аналитически аппроксимировалась, как функция экспериментально-полученной спектральной зависимости коэффициента поглощения фосфида индия. Предложено пять аппроксимирующих функций с целью получения аналитической зависимости коэффициента поглощения фосфида индия α(ћω). Получено 5 зависимостей с различными значениями среднеквадратичного отклонения. На основании аналитических зависимостей произведено моделирование полной аналитической зависимости IФ(α(ћω)). Аналогично, получено 5 зависимостей, охарактеризованных соответствующим значением среднеквадратичного отклонения. Построено 5 нестационарных поверхностей фотопроводимости IФ (как функции двух переменных: коэффициента поглощения, как функции от энергии фотонов и времени выдержки образца при нормальных условиях). Сделан вывод о выборе наиболее математически точной и имеющей физический смысл аппроксимирующей функции α(ћω). Соответственно, показано, что эта зависимость является оптимальной для получения на ее основе (включения этой зависимости в структуру IФ = f(α) и α = f(ћω)) полного аналитического описания процесса фотопроводимости. Показано, что последующие исследования могут быть направлены на объяснение физических основ фотопроводимости в коротковолновой области фундаментальных переходов фосфида индия, а также исследования способов воздействия на поверхностный слой InP: Cu, с целью ее очувствления и стабилизации.
