Статьи автора

Разработка приборной структуры Ge-МДПТ с индукцированным каналом p-типа

Номер выпуска 3 от 16.09.2025

Определены условия роста методом HW CVD слоев Ge n-типа проводимости с параметрами, требуемыми для создания Ge-МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа. Оптимизированы условия осаждения методом электронно-лучевого осаждения и последующего отжига слоев подзатворного high-k диэлектрика ZrO₂:Y₂O₃, позволяющие достигнуть величины тока утечки 5 × 10^–6 А/см². Для разработанной приборной структуры проведен расчет некоторых параметров Ge-МДП-транзистора, таких как длина канала, максимальное напряжение между стоком и истоком, пробивное напряжение.

111 0