Обсуждаются вопросы моделирования электрофизических характеристик кремниевого конического полевого GAA-нанотранзистора. Разработана аналитическая модель тока стока транзистора с полностью охватывающим коническим затвором со стековым подзатворным оксидом SiO2/HfO2 с учетом влияние заряда межфазной ловушки на границе раздела Si/SiO2. Для моделирования распределения потенциала в конической рабочей области при условии постоянной плотности ловушек получено аналитическое решение уравнения Пуассона с использованием метода параболической аппроксимации в цилиндрической системе координат с соответствующими граничными условиями. Модель потенциала была использована для разработки выражения для тока стока GAA-нанотранзистора со стековым подзатворным оксидом. Численно исследованы ключевые электрофизические характеристики в зависимости от плотности ловушек и толщин слоев SiO2 и HfO2.
Обсуждаются результаты исследования температурных зависимостей напряжения пробоя мощных КНИ nLDMOS транзисторов с длинной областью дрейфа с топологическими нормами 0.5 микрон. Основное внимание сфокусировано на влиянии механизма генерации и пассивации ловушек на границе раздела Si/SiO2 в сильных электрических полях. Экспериментально и теоретически проанализирована зависимость напряжения пробоя в диапазоне температуры окружающей среды от -60о С до 300о С и определен диапазон температур от 25° С до 220° С, где напряжение пробоя практически постоянно. Рассмотрена возможность восстановления уровня напряжения пробоя после длительного периода покоя, что является предпосылкой для продления срока эксплуатации устройства.
