Статьи автора

Новый подход к моделированию радиационных эффектов низкой интенсивности в биполярных микросхемах

Номер выпуска 2 от 16.09.2025

Предложена модель для объяснения эффектов низкой интенсивности при воздействии ионизирующего излучения в биполярных структурах с учетом подпорогового дефектообразования в высоколегированных кремниевых слоях. Рассмотрены варианты деградации тока базы в биполярном транзисторе с учетом одновременного действия поверхностных радиационных эффектов и структурных повреждений в приповерхностной базовой области. Выявлены условия возникновения эффектов низкой мощности поглощенной дозы в биполярных структурах. Представленные результаты анализа позволяют объяснить большинство наблюдаемых экспериментальных результатов.

94 0

Одиночные структурные повреждения в СБИС

Номер выпуска 4 от 16.09.2025

Представлены результаты анализа проявления одиночных структурных повреждений в элементах СБИС при воздействии нейтронного излучения. Приведены оценки для определения энерговыделения при одном акте взаимодействия нейтронов с атомами кремния в чувствительном микрообъеме элемента СБИС. Определены условия влияния отдельных разупорядоченных областей, кластеров радиационных дефектов, на работоспособность СБИС. Показаны возможности проявления нестационарного отжига даже при стационарном воздействии и аддитивного влияния увеличения обратных токов нескольких элементов СБИС на условия возникновения отказов всей микросхемы.

20 0