By this author

The new approach of a simulation low dose rate radiation effects in bipolar integrated circuits

Issue number 2 from 16.09.2025

Предложена модель для объяснения эффектов низкой интенсивности при воздействии ионизирующего излучения в биполярных структурах с учетом подпорогового дефектообразования в высоколегированных кремниевых слоях. Рассмотрены варианты деградации тока базы в биполярном транзисторе с учетом одновременного действия поверхностных радиационных эффектов и структурных повреждений в приповерхностной базовой области. Выявлены условия возникновения эффектов низкой мощности поглощенной дозы в биполярных структурах. Представленные результаты анализа позволяют объяснить большинство наблюдаемых экспериментальных результатов.

92 0

Single Event Displacement Effects in a VLSI

Issue number 4 from 16.09.2025

Представлены результаты анализа проявления одиночных структурных повреждений в элементах СБИС при воздействии нейтронного излучения. Приведены оценки для определения энерговыделения при одном акте взаимодействия нейтронов с атомами кремния в чувствительном микрообъеме элемента СБИС. Определены условия влияния отдельных разупорядоченных областей, кластеров радиационных дефектов, на работоспособность СБИС. Показаны возможности проявления нестационарного отжига даже при стационарном воздействии и аддитивного влияния увеличения обратных токов нескольких элементов СБИС на условия возникновения отказов всей микросхемы.

15 0